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检索条件：关键词=n-type porous silicon
周辉 , 韩满贵 , 唐中开 , 吴燕辉
无机材料学报 doi:10.15541/jim20150596
通过背光照辅助电化学腐蚀的方法,在N型轻掺杂的(100)单晶硅上制备了多孔硅模板.模板孔端口呈类正方形结构,孔边长约为2μm,孔深约50 μm.然后在制备的N型多孔硅模板中电沉积制备了磁性镍微米管.与绝缘性AAO模板中金属从孔底部开始生长不同,在半导体性质的N型多孔硅模板中,镍沿着孔壁均匀生长,并随...
关键词: N型多孔硅 , 电化学沉积 , 镍微米管 , 磁各向异性
