祝雪丰
,
王林军
,
胡广
,
刘健敏
,
黄健
,
徐金勇
,
夏义本
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.007
采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30 nm的均匀金刚石膜.生长过程中,预先加6 A偏流生长1 h,然后在0.8 kPa条件下,无偏流生长3 h.光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682 eV, 1,564 eV, 1,518 eV和1.512 eV的发光峰.1.682 eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子.光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界.
关键词:
光致发光
,
纳米金刚石膜
,
电子辅助-热丝化学气相沉积
