张清林
,
王小件
,
王黎明
,
樊超
,
夏明霞
,
潘安练
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.001
采用化学气相沉积法,利用金属钛片为钛源,在金属Pd颗粒的催化下原位生长了锥状TiO2纳米带.扫描电镜(SEM)、XRD和透射电镜(TEM)表征结果表明所制备的锥状TiO2纳米带长度为数十微米,接近基底的底端宽度为1～4μm,顶端形成几十纳米的尖端;此纳米带晶型为金红石结构;锥状TiO2纳米带生长方向是长度方向为[110],横向是[001]方向.对比实验验证了金属Pd颗粒对锥状TiO2纳米带的生长初期起着重要的作用.笔者认为纳米带生长的初期由VLS生长机制决定,而固态Ti原子的扩散对锥状纳米带的形成起着重要的作用.单根TiO2纳米带不同位置的微区拉曼谱均有442 cm-1、604 cm-1两个响应带,分别对应着TiO2金红石相Eg和A1g的拉曼活跃模式.表面光电压谱的研究发现锥状TiO2纳米带具有良好的光电特性,在光催化、光电器件等领域具有潜在应用前景.
关键词:
锥状TiO2
,
纳米带
,
化学气相沉积
,
表面光电压
,
微区拉曼
周小惠
,
骆丽杰
,
李建保
,
陈拥军
硅酸盐通报
本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.
关键词:
氮化硅
,
纳米带
,
化学气相沉积
,
光致发光
陈海燕
,
杨晓玲
,
罗庇荣
,
刘应开
功能材料
采用热蒸发法制备CdS及其稀土掺杂的纳米带(CdS∶Ce~(3+)、CdS∶Er~(3+)).利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪(PL)对纳米带的形貌、晶体结构和发光性质进行了表征和分析.结果表明,所制备的纳米带的外形规则,表面光滑、平整,纳米带的厚度大约在20～60nm范围内;纳米带具有六方结构,晶格常数a=0.414nm、c=0.671nm;CdS纳米带的光致发光谱的谱峰位于405nm左右;CdS∶Ce~(3+)纳米带的光致发光谱的谱峰位于523和535nm处;CdS∶Er~(3+)纳米带的光致发光谱中观察到3个强的发光峰,分别位于525、556和582nm处.
关键词:
CdS
,
稀土掺杂
,
纳米带
,
光致发光
陈木子
,
王海瑞
,
侯逢文
,
汪理文
,
李宝宗
,
李艺
高分子材料科学与工程
依照文献以L-丙氨酸为手性源合成了-阴离子型两亲小分子化合物，利用圆二色谱研究了该化舍物在水中的自组装行为。同时通过溶胶-凝胶复制法，以该手性阴离子型两亲小分子化合物的自组装体作为模板，以（3-胺丙基）三甲氧基硅为结构助剂，以倍半硅氧烷为硅源制备了桥联聚倍半硅氧烷纳米带，并利用扫描电镜、透射电镜和圆二色谱方法研究了该纳米带结构。透射电镜和圆二色谱表征结果表明，1，4-亚苯基桥联聚倍半硅氧烷和4，4’-亚联苯基桥联聚倍半硅氧烷的结构为中间有间隙的双层纳米带，且在纳米和埃的尺度下具有手性。
关键词:
手性
,
自组装
,
桥联聚倍半硅氧烷
,
纳米带
堵国君
,
王彦敏
,
胡培广
,
刘宏
,
刘铎
,
王继扬
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.014
采用水热法和后继热处理法制备二氧化钛(TiO_2)纳米带, 然后通过液相合成法在纳米带表面组装了氧化锌(ZnO)纳米结构, 制备了ZnO@TiO_2纳米带表面异质结构. 利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对异质结构进行了表征. 所制得的产物是TiO_2的纳米带表面组装了ZnO纳米花: TiO_2纳米带的宽度为50～200 nm, 长度达到几十微米, 而ZnO异质结呈花状, 长为500 nm的骨苞上长有200 nm左右的花瓣. 本文还讨论了ZnO@TiO_2表面异质结构的形成机制.
关键词:
二氧化钛
,
纳米带
,
氧化锌
,
异质结构
,
生长机制
顾宗辉
,
王旭
,
袁晓煜
,
崔葵馨
,
金胜明
,
湛雪辉
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.003
以β-Bi2O3为原料,采用无模板剂水热法制备了Bi12O17Cl2纳米带,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征并作为阻燃剂添加到聚氯乙烯(PVC)中评价其阻燃性能.结果表明,适宜的Bi/Cl物质的量比对水热合成Bi12O17Cl2纳米带及其化学计量比影响显著,当Bi/Cl物质的量比为1:2.5时,可得到分散性好、形貌均匀的Bi12O17Cl2纳米带;改变Bi/Cl物质的量比,纳米带中Bi/Cl化学计量比从6:1变成2.4:1.初步探讨了Bi12O17Cl2纳米带可能的生长机理,在水热反应过程中,Bi3+与Cl-发生络合反应形成BiCln3-n络合物,从而合成Bi12O17Cl2纳米带.
关键词:
Bi12O17Cl2
,
纳米带
,
水热法
,
阻燃性能
班冬梅
,
潘孟美
,
王林茂
,
洪丽
,
傅军
材料导报
采用热蒸发法在氧化铟锡玻璃上制备三氧化钼(MoO3)纳米带薄膜.通过扫描电镜、X射线衍射、红外光谱分析了纳米带的表面形貌及结构,通过紫外-可见-近红外光谱以及光致发光谱分析了电致变色前后纳米带光学性能以及缺陷分布情况.结果表明:纳米带的光学带隙为3.36 eV,变色前纳米带内部就存在着部分由晶格畸变和氧空位产生的+5价Mo离子；变色后,注入的Li+和e-使材料内部的[MoO6]八面体发生新的畸变,产生新的Mo5.电子在+6价和+5价的Mo离子间发生迁移而导致着色.
关键词:
三氧化钼
,
纳米带
,
电致变色
马新志
,
张佳音
,
刘欣
,
温静
,
高琼
,
李凯
,
牟洪臣
人工晶体学报
采用CVD法成功合成了高质量单晶In2 Ge2 O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征.结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀.此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论.
关键词:
In2Ge2O7
,
纳米带
,
合成
,
生长机制
杨雪梅
,
刘忠平
,
李小东
,
张泽明
,
纪兰香
,
邓建国
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140526
采用简易的一步水热法制备了超长的VO2(B)纳米带。对纳米带的结构、形貌、最优合成条件及电化学性能进行了研究。结果发现：制得的VO2(B)纳米带长度约为几十微米,宽度为~200 nm；且最优合成条件为在钒源与还原剂摩尔比为2：1的条件下,200℃水热反应24 h。当该VO2(B)纳米带被作为锂离子电池的阳极材料时,显示出了优异的电化学性能,尤其是循环稳定性,循环500周后的电容量损失率仅为10.41%,极大的解决了钒类纳米材料作为锂离子电池阳极材料时稳定性差的问题,提高了其成为锂离子电池阳极材料的可能性。
关键词:
VO2(B)
,
纳米带
,
电化学性能
