于威
,
王建涛
,
李云
,
郭少刚
,
朱海荣
,
傅广生
人工晶体学报
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响.结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小.薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加.
关键词:
纳米晶硅
,
富硅氧化硅
,
低温沉积
,
微结构
金雄聖
,
金原奭
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.
关键词:
薄膜
,
纳米晶硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
电导率
刘本锋
,
赵青南
,
潘震
,
冯敏鸽
材料导报
纳米硅薄膜具有卓越的光学和电学特性,其在光电器件方面潜在的应用越来越引起人们的兴趣.讨论了用磁控溅射法制备纳米硅薄膜的微观机理及沉积参数对薄膜结构和性能的影响.其中,氢气分压、基片温度、溅射功率是磁控溅射法沉积纳米硅的关键参数,适当的温度、较高的氢气分压和较低的溅射功率有利于纳米硅的生成.
关键词:
纳米硅
,
薄膜
,
磁控溅射
