王冰
,
唐立丹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.011
采用水热合成方法在透明导电玻璃上制备了TiO2纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等手段对样品进行分析和表征.研究了盐酸浓度对阵列形貌和结构的影响,并针对其影响机理做了进一步的探讨.结果表明,TiO2纳米棒为金红石相,在盐酸与去离子水的比例为1.0时,TiO2纳米棒阵列生长方向垂直于衬底,排列整齐,组织均匀致密.
关键词:
TiO2
,
纳米棒阵列
,
水热法
,
盐酸浓度
王璟
,
丁雨田
,
张杨
,
陈小焱
,
张增明
,
尚兴记
人工晶体学报
采用直流反应磁控溅射法制备品种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对品种层结构和微观形貌的影响.通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响.结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整.退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低.磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向.生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构.
关键词:
直流磁控溅射
,
晶种层薄膜
,
纳米阵列
,
ZnO
申保收
,
冯旺军
,
陈江涛
,
阎兴斌
人工晶体学报
本文研究了Ti离子注入对ZnO纳米棒阵列结构、形貌、光学特性和疏水性的影响.XRD测试表明注入前后ZnO纳米棒均为六方纤锌矿晶体结构.然而,随着对ZnO纳米棒阵列注入剂量的增加,样品沿(002)晶面优先生长的趋势降低,而且当注入剂量达到5×1017/cm2时,甚至出现ZnTiO3( 104)晶面衍射峰,说明了这种物质的存在,而后面的XPS表征也进一步证明了Ti-Zn-O化学键的存在.样品形貌测试表明,离子注入后由于受刻蚀和溅射的作用,不仅使得ZnO纳米棒表面形貌发生了很大的变化,透光率也显著下降.离子注入后ZnO纳米棒表面疏水性受形貌变化的影响也发生了改变,使得其疏水性增强,当Ti离子注入量为1×1017/cm2时ZnO纳米棒表面接触角达到了151.4°.总之,离子注入作为一种较新颖的表明改性方法,通过对ZnO纳米棒阵列改性处理可以明显扩展其潜在应用价值.
关键词:
氧化锌
,
纳米棒阵列
,
离子注入
,
疏水性
,
形貌
李莹滢
,
董祥
,
张海黔
稀有金属
通过简单的水热合成法在锌片基底上一步制备了Co掺杂的ZnO纳米棒阵列.纳米棒在基底上均匀分布,取向一致,垂直于基底大面积生长.样品结构均为六方纤锌矿结构,具有高结晶质量,不含其它杂相.随着Co掺杂浓度的增加,紫外发射峰强度逐渐下降,近带隙发射峰的半峰宽也较纯ZnO变宽.拉曼光谱显示Co的掺杂使纳米棒出现了氧空位和锌填隙本征缺陷.随着Co浓度的增加这些缺陷也随之增加.掺杂纳米棒阵列的磁滞回线表明样品具有明显的铁磁特征,并有较大的矫顽力Hc=52.8 kA/m.这种ZnO基稀磁半导体纳米棒阵列是一种在自旋电子器件中具有应用潜力的纳米材料.
关键词:
半导体
,
磁性材料
,
纳米棒阵列
,
ZnO
,
水热法
