杨晓京
,
刘艳荣
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杨小江
,
方聪聪
稀有金属材料与工程
利用纳米压痕仪和原子力显微镜,分别对单晶锗Ge (100)、Ge (110)、Ge (111)3种晶向的表面进行纳米尺度下的摩擦磨损试验.在较大载荷的条件下,3种不同晶面取向的单晶锗磨损情况均呈现沟槽形式,沟槽两侧出现明显的碎屑堆积现象.在划痕试验过程中,单晶锗的磨损性能受晶面取向影响较小;单晶锗的摩擦力随着滑动速度的增加而增加.而且,随着滑动速度的增大,晶体表面出现严重的磨损-沟槽损伤,沟槽两侧碎屑堆积的体积也越来越大,沟槽的深度也逐渐增大;单晶锗在较低载荷下,摩擦力基本保持稳定,但随着载荷的增大,单晶锗的摩擦力呈非线性增长,载荷增大一定值时,晶体表面发生明显的由塑性变形向脆性破坏转变的脆塑转变过渡过程,导致单晶锗表面发生脆性剥离,形成沟槽两侧碎屑堆积.
关键词:
纳米尺度
,
单晶锗
,
纳米压痕
,
各向异性
,
摩擦
,
磨损
赵辉
,
朱正吼
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.11.021
以60~100 nm 的 FeNi 粉体为应力敏感元、硅橡胶为柔性基体,压制成型了粉体分布均匀、粉体含量30．6％(质量分数)、厚度200μm 的薄膜,在连续加载/卸载速度为0．1 mm/min、测试频率1 kHz 条件下,研究了正应力和综合应力两种受力条件下薄膜的力敏特性.研究结果表明,通过过渡溶剂液相混合方法可实现纳米级FeNi粉体在薄膜中均匀分布；在正应力条件下,加载过程中σ＜0．2 MP a 时,薄膜的灵敏精度|k|值＞50,当σ为0．2~0．4 MPa,|k|值介于37~49之间,薄膜对＜0．2 MPa的正应力敏感；当综合应力σ＜0．1 MPa 时,薄膜灵敏精度|k|值在60以上,薄膜对＜0．1 MP a的综合应力敏感；在综合应力加载/卸载条件下,薄膜的弹性后效现象显著,导致力敏稳定性较差；在正应力条件下的力敏特性优于综合应力条件下的力敏特性.
关键词:
FeNi 粉体
,
纳米级
,
液体硅橡胶
,
力敏特性
王尧
,
朱晓莹
,
刘贵民
,
杜军
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00358
为研究调制周期和界面结构对纳米多层膜应变率敏感性的影响,采用电子束蒸发镀膜技术在Si基片上制备了不同周期(Λ=4 nm,12 nm,20 nm)的Cu/Ni纳米多层膜,采用磁控溅射技术在Si基片上制备了不同周期(Λ=5 nm,10 nm,20 nm)的Cu/Nb纳米多层膜。在真空条件下,对Cu/Ni纳米多层膜进行了温度分别为200和400 ℃、时间4 h的退火处理,对Cu/Nb纳米多层膜进行了温度分别为200、400和600 ℃,时间为4 h的退火处理。采用XRD和TEM表征了Cu/Ni和Cu/Nb纳米多层膜的结构,采用纳米压痕仪获取了不同加载应变率(0.005、0.01、0.05和0.2 s-1)下纳米多层膜的硬度。结果表明,应变率敏感性受到界面结构和晶粒尺寸的影响,非共格界面密度提高以及晶粒尺寸变大均可导致应变率敏感性下降。当周期变大时,Cu/Ni纳米多层膜的非共格界面密度提高,晶粒尺寸变大,应变率敏感性指数m减小;当周期变大时,Cu/Nb纳米多层膜的非共格界面密度下降,晶粒尺寸变大,m基本不变。随退火温度上升,Cu/Ni和Cu/Nb纳米多层膜应变率敏感性大体上呈现下降趋势,这是由退火过程中非共格界面密度上升和晶粒长大共同引起的。
关键词:
纳米多层膜,周期,界面结构,应变率敏感性
段长平
,
李微
,
孙彤
,
刘连利
,
代悦
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.10.019
在不同工艺条件下采用沉淀法制备了低维纳米AlO(OH),并对样品进行了XRD、FT-IR及SEM表征分析.结果表明,pH值较低和较高时,样品的结晶度均较低.反应温度为75℃和95℃时,样品的结晶度均较好,无杂质.当pH值为9.0、反应温度为85℃时,样品中存在大量缔合-OH,AlO(OH)结晶度较好,且有少量Al(OH)3晶体存在.由于SDBS在Al(OH)3颗粒表面形成完整胶束,且有空间位阻效应,此时形成的样品为5 nm厚、长宽可达100～300 nm的边缘卷曲的蓬松片状物,形貌规则、尺寸均匀、分散性较好.
关键词:
纳米
,
低维
,
AlO(OH)
,
沉淀法
,
工艺条件
