宇慧平
,
隋允康
,
王敬
,
安国平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.006
在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大.本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统.数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关.当Gr＞108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合, 随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长.
关键词:
直拉单晶硅
,
自然对流
,
数值模拟
