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王涛 , 潘孝军 , 张振兴 , 李晖 , 谢二庆
中国稀土学报
利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN:Tb薄膜. XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm; 紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV; 测量了薄膜的室温...
关键词: 反应溅射 , nc-GaN薄膜 , Tb掺杂 , 光致发光 , 稀土