韦文生
,
徐刚毅
,
王天民
,
张春熹
材料导报
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
隧道二极管
,
异质结二极管
,
变容二极管
,
太阳能电池
,
单电子晶体管
,
发光二极管
韦文生
,
王天民
,
张春熹
,
李国华
,
韩和相
,
丁琨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 ...
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
掺硼
,
纳米硅晶粒
,
择优生长
,
电场
