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腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究

蒋稳 , 邹宇 , 伍建春 , 展长勇 , 朱敬军 , 安竹 , 杨斌 , 黄宁康

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.15.020

采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备.就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究.研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别.随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整.当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨.

关键词: 中子探测器 , 电化学刻蚀 , 多孔硅阵列 , 形貌

Micromegas中子探测器位置分辨特性的Monte-Carlo研究

韦峥 , 李昊翔 , 张毅 , 汪珊珊 , 胡碧涛

原子核物理评论

利用GEANT4和Garfield气体探测器模拟程序模拟了Micromegas中子探测器位置特性.在漂移极上加一层聚乙烯薄膜作为转换材料,通过反冲质子法测量中子的位置.提出了一套通过设定探测器上层结构的方案来得到探测器的位置分辨特性.通过对模拟结果的分析与比较,得到一种易于测定探测器位置分辨特性的方法.该工作不仅可以优化气体探测器结构设计,缩短实验周期,而且还能极大程度地节约经费.

关键词: Micromegas , 中子探测器 , 位置分辨 , 计算机模拟

位敏型探测器数字法读出研究

田立朝 , 孙志嘉 , 祁辉荣 , 唐彬 , 吕新宇 , 陈元柏 , 欧阳群

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.042

中国散裂中子源(CSNS)的建造对中子探测器提出了非常高的要求,如更大的有效面积、二维位置灵敏、高计数率、高探测效率和低的y,灵敏度等.与传统的模拟读出方法相比,数字法读出具有更高的计数率,更小的数据传输量,更简单的电子学设计以及更高的信噪比.对数字法读出进行了理论计算,利用GEM探测器的原始数据分析了数字法读出的位置分辨率与读出条宽度的关系.结果表明,数字法读出对于位置分辨要求较低(小于4mm)的大面积位置灵敏探测器是一种较好的选择,如CSNS小角谱仪探测器.

关键词: 数字法读出 , 位置灵敏 , 气体电子倍增器 , 中子探测器

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