李鸿渐
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石瑛
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赵世荣
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何庆尧
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蒋昌忠
功能材料
对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
离子注入
,
退火
王现彬
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王颖莉
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.004
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物.结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10-5Ω·cm2的最优欧姆接触特性.TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlOx,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响.
关键词:
Ti/Al/Ni/Au
,
欧姆接触
,
氮极性
,
氧化铝
