齐磊
,
王国祥
,
李双
,
沈祥
,
徐培鹏
,
李军
,
吕业刚
,
戴世勋
,
聂秋华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.004
采用磁控溅射法制备了Ge15 Ga10 Te75薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度(200~280℃)退火后薄膜光学特性的变化。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微拉曼光谱仪、分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征,结果表明,3次不同工艺下制备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小,且均是非晶态。沉积态薄膜的短波截止波长均在1μm 左右；当退火温度(Ta)大于薄膜的玻璃转化温度(Tg)时,薄膜的光学带隙(Egopt)随着退火温度的增加而逐渐减小,沉积态薄膜的光学带隙分别为1．05,1．06和1．07 eV,而在280℃退火后薄膜光学带隙分别降至0．38,0．42和0．45 eV,以上3次实验结果表明,不同工艺下制备的Ge15 Ga10 Te75薄膜组分均匀可控,热学和光学参数较一致。
关键词:
Ge15 Ga10 Te75
,
磁控溅射
,
XRD
,
SEM
,
透过光谱
,
Raman光谱
,
光学带隙
郅晓
,
朱涛
,
任洋
,
李颖
,
赵高扬
功能材料
利用溶胶-凝胶法在玻璃基板上制备了Al/Zn原子掺杂比例为0～0.25的掺铝氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,随后分别将其在空气,氧气和氮气3种不同气氛中退火处理,研究了薄膜的光学、电学与结构方面的性质.X射线衍射分析表明AZO薄膜是具有c轴择优取向的六方纤锌矿结构多晶体;通过紫外-可见光分光计测定表明该薄膜在可见光范围内具有>80%的高透过率,随着铝掺杂比例的增大光学能隙增大且吸收边向短波方向移动.
关键词:
掺铝氧化锌
,
溶胶-凝胶
,
电阻率
,
光学带隙
肖剑荣
,
蒋爱华
材料导报
氮化铜(Cu_3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置.在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化.Cu_3N在较低温度下会分解为Cu和N_2.介绍了Cu_3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N_2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析.
关键词:
氮化铜薄膜
,
光学带隙
,
热稳定性
,
磁控溅射
闫小兵
,
张二鹏
,
贾长江
,
史守山
,
娄建忠
,
刘保亭
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500～ 800 nm可见光区平均透过率超过80％,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.
关键词:
In-Ga-Zn-O薄膜
,
退火温度
,
磁控溅射
,
光学带隙
康海彦
,
张媛媛
,
张彬
,
张绍岩
人工晶体学报
以Mg(NO3)2·6H2O和纳米SiO2为原料,采用水热法,合成了Mg3Si2O5(OH)4纳米棒.采用X射线衍射(XRD)及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品的物相组成和微观形貌进行了表征.并采用紫外-可见漫反射测试(UV-vis DRS)测定了样品的光吸收性能,DRS结果显示Mg3Si2O5(OH)4纳米棒的光吸收主要集中在紫外光区,结合Kubelka-Munk方程计算得出Mg3Si2O5(OH)4纳米棒的光学带隙为4.98 eV.
关键词:
羟基硅酸镁
,
水热法
,
紫外-可见漫反射
,
光学带隙
童杨
,
王昆仑
,
刘媛媛
,
李延辉
,
宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84％,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.
关键词:
铟锡锌氧化物薄膜
,
光学带隙
,
光电特性
,
射频功率
刘振兴
,
陈俊芳
,
陈兴来
,
孙辰
材料导报
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜直接光学带隙可由氮分压调节的范围为1.18～1.50 eV,氮分压比例增大,薄膜的光透明性减弱,并且对暴露在空气中20天以后的薄膜进行测试发现,薄膜的光透明性明显增强,随着衬底温度的升高,生长的薄膜择优取向增多,晶粒尺寸逐渐变大.
关键词:
磁控溅射等离子体
,
光学禁带宽度
,
氮化锌
,
光学特性
汤洋
,
赵颖
,
张增光
,
陈颉
材料研究学报
用水热法在溶解有Zn(CH3COO)2与C6H12N4的溶液中添加NH4NO3与Al(NO3)3制备了ZnO纳米柱阵列.结果表明,添加在溶液中的NH4NO3降低了制备出的ZnO纳米柱的缺陷态密度,减小了其内部的非辐射复合中心的密度.ZnO纳米柱内部的非辐射复合的减弱导致其斯托克斯位移降低49％,从而得到高质量的ZnO纳米柱阵列.控制NH4NO3与Al(NO3)3在溶液中的添加可在3.36-3.57 eV范围内调控ZnO纳米柱的光学带隙宽度.Al的引入使ZnO纳米柱内部载流子的浓度提高,在布尔斯坦-莫斯效应作用下纳米柱的光学带隙蓝移至3.56-3.57 eV.
关键词:
无机非金属材料
,
光学带隙
,
水热法
,
纳米柱
高任
,
王焕平
,
朱钦恭
,
肖珍
,
HELLMUT Eckert
,
ZHANG Xianghua
,
徐时清
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160523.022
采用传统熔体冷却法制备TiO2掺杂量为0~1.8 wt%的TiO2/SiO2-Al2O3-MgO系玻璃,探讨了不同TiO2质量分数对玻璃体积密度、弯曲强度、压缩强度、压缩模量和结构稳定性的影响规律.结果发现:当TiO2含量小于1.5 wt%时,TiO2/SiO2-Al2O3-MgO系玻璃的光学带隙随着TiO2含量的增加而减小、玻璃结构更加稳定,其体积密度、弯曲强度、压缩强度以及压缩模量均随着TiO2含量的增加而上升;当TiO2含量超过1.5 wt%后,该玻璃体系的结构稳定性和力学性能均随着TiO2含量增加而下降;当TiO2的质量分数为1.5 wt%时,玻璃的光学带隙达到最小值为3.75 eV,各项力学性能达到最优,其弯曲强度为110.36 MPa、压缩强度为240.18 MPa、压缩模量为115.03 GPa.适量TiO2的掺杂,减少了玻璃网络结构中非桥氧的数量,使孤立的岛状网络单元重新聚合,从而显著提高了玻璃的结构稳定性和力学性能;但过量的TiO2迫使TiO2/SiO2-Al2O3-MgO系玻璃结构中的桥氧键断裂生成非桥氧,由此显著降低了其结构稳定性和力学性能.
关键词:
TiO2
,
TiO2/SiO2-Al2O3-MgO系玻璃
,
力学性能
,
光学带隙
,
结构稳定性
