刘二强
,
鲍明东
,
田林海
,
唐宾
电镀与涂饰
描述了TiNi形状记忆合金薄膜的一般特性及成分对其组织及性能的重要影响.磁控溅射法是应用最为广泛的制备TiNi基形状记忆薄膜的方法之一,但由于Ti与Ni的溅射产额不同,很难得到理想成分的TiNi薄膜.目前主要采用改变工艺参数或靶材成分补偿的方法控制薄膜的成分.借鉴反应磁控溅射沉积薄膜时成分控制方法,提出了一种利用溅射靶表面光发射谱的控制技术,理论上可以达到精确检测或控制TiNi形状记忆合金薄膜成分的目的.
关键词:
钛镍
,
形状记忆合金
,
薄膜
,
成分
,
控制
,
光发射谱
杨仕娥
,
崔宗超
,
郭巧能
,
陈永生
,
李艳阳
,
卢景霄
人工晶体学报
采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较.模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70W时,等离子体中心区域的电子温度t基本保持不变,电子浓度ne和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比nH/nSiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好.最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释.
关键词:
微晶硅
,
等离子体
,
数值模拟
,
光发射谱
李新利
,
任凤章
,
马战红
,
李武会
,
王宇飞
,
卢景霄
材料热处理学报
采用SRS00光谱光度计对甚高频等离子体增强化学气相沉积本征微晶硅薄膜过程进行了在线监测,分析了硅烷不同注入方式对等离子体光发射谱和薄膜结构的影响.结果表明,采用硅烷梯度注入时,等离子体中的Hα*、Hβ*和SiH*峰强度逐步升高,且高的Hα*/SiH*比值有利于高晶化率界面层的沉积;这与采用XRD分析薄膜的结构得到的结果一致.选择硅烷梯度注入方式沉积微晶硅薄膜电池本征层,在沉积速率为1 nm/s本征层厚度为2400 nm时,最终获得了光电转换效率为7.81％的单结微晶硅薄膜太阳能电池.
关键词:
硅烷馈入方式
,
等离子体
,
光发射谱
,
微晶硅薄膜
,
太阳能电池
吴杰
,
张亦凡
,
金小越
,
杨璇
,
陈琳
,
薛文斌
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.349
采用阴极液相等离子体电解渗技术实现了T8碳钢表面的快速渗碳.测量了样品内部温度与外加电压的关系,并评估了在不同电压下碳在钢中的扩散过程和等离子体放电的光谱特征.结果表明,T8碳钢在甘油水溶液中经Imin渗碳处理后可得到20-30μm厚的硬化层.在外加电压为360V电压、样品表面温度约为650℃的条件下,碳的扩散系数为6.7× 10-8 cm2·s-1;在外加电压为380 V、样品表面温度约800℃的条件下,碳的扩散系数为1.5×10-7 cm2·s-1.气膜放电击穿产生的等离子体处于局部热平衡状态,电子温度为5000-12000 K.等离子体区的瞬时高温为有机物的分解和碳的快速扩散提供了有利条件,碳的扩散系数比同温度下传统固体渗碳提高了一个数量级,扩散激活能也明显降低.
关键词:
等离子体电解渗碳
,
扩散系数
,
发射光谱
,
电子温度
刘润
,
周颖
,
李伟
,
施新辉
,
吴杰
材料热处理学报
采用液相等离子体电解渗方法,在280 V和300 V电压下对Q235低碳钢进行硼碳共渗处理,分析了渗层的显微组织和相成分.研究不同电压下硼碳共渗过程的光发射谱(OES),并评估了等离子体放电区的电子温度、电子浓度特征参数.结果表明,等离子体电解硼碳共渗中放电区的电子浓度大于8×1022m-3,达到局部热平衡状态.电子温度为3000～ 12000 K,等离子体放电为活性碳原子和硼原子在钢基体中快速扩散创造了高温环境.随着电压的升高,等离子体放电变得剧烈,电子温度明显增加,Q235低碳钢表面岛状硼化物颗粒逐渐增大相连接,形成较厚的渗硼层.
关键词:
等离子体电解硼碳共渗
,
光发射谱
,
等离子体参数
,
电子温度
,
低碳钢
