吴庆辉
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唐慧丽
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苏良碧
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罗平
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钱小波
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吴锋
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徐军
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.
关键词:
Ge∶β-Ga2O3单晶
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晶体生长
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光学浮区法
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电导率
邸大伟
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王越
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马云峰
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韩文辉
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了BiFe1-xCoxO3(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.09、0.11)晶体.研究了生长温度、旋转速度、生长速度、有无气体冷却等工艺条件对熔区稳定和样品品质的影响.通过生长参数的优化,获得了尺寸为φ(8～12) mm×(60～120)mm的晶体.测试的磁滞回线表明,随着Co掺杂比例的提高,室温下反铁磁性能逐渐增强,当x=0.11时,饱和磁化强度达到了5.5 emu/g;介电温谱显示,5％ Co掺杂样品的尼尔温度达到320℃的最低值,介电常数因Co替代Fe的比例增加而发生变化.
关键词:
Bi(Fe,Co) O3
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光学浮区法
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磁化强度
韩文辉
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王越
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邸大伟
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马云峰
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梅晓平
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了尺寸为(6～8)mm×(40～ 80)mm的Ba1-xSrxTiO3晶体(x=0、0.01、0.016、0.02),并对其生长温度、旋转速度、生长速度等生长工艺参数进行了研究.实验过程中固液面稳定,X射线双晶摇摆曲线显示样品具有较好的晶体质量.XRD测试显示Sr2+的掺入能够抑制BaTiO3六方相的生成,BaTiO3四方相衍射峰向高衍射角方向移动.各组分晶体样品红外透过率超过80％.拉曼光谱显示存在峰值为489～496 cm-1的峰,这可以被认为是三方相的存在证据,这一变化应该为Sr2+的掺入所导致的.
关键词:
光学浮区法
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Ba1-xSrxTiO3
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晶体生长
唐慧丽
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吴庆辉
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罗平
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王庆国
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徐军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160446
β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差.为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径.采用光学浮区法生长出φ8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性.In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小.室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4 S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级.In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低.结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能.
关键词:
In:Ga2O3晶体
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浮区法
,
电导率
