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Ga-Ti 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜的微观结构和光电性能研究?

钟志有 , 龙路 , 陆轴 , 龙浩

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.16.002

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了 Ga-Ti 共掺杂 ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过 XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对 GTZO 薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明:所有 GTZO 薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4 Pa 时,GTZO 薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7 nm)、最小的压应力(-0.231 GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了 GTZO 薄膜的色散参数。

关键词: 透明导电薄膜 , 掺杂ZnO , 磁控溅射 , 光电性能

镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究

钟志有 , 顾锦华 , 孙奉娄 , 杨春勇 , 侯金

人工晶体学报

采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响.结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω·cm)、较高的可见∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加.

关键词: 氧化锌薄膜 , 磁控溅射 , 光电性能

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