史毅敏
,
罗发
,
丁冬海
,
周万城
,
朱冬梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.028
通过聚碳硅烷(PCS)预氧化后在800~1 200 ℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱(FTIR)与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征.并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2~12.4 GHz(X波段)频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率.结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si-H键和Si-CH3键与氧反应形成Si-OH键.SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加.170 ℃交联,1 200 ℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18 dB,X全波段反射率低于-10 dB,呈现出较好的吸波性能.
关键词:
预氧化
,
聚碳硅烷
,
SiC陶瓷
,
复介电常数
,
吸波性能
