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氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响

吴高华 , 王兵 , 熊鹰 , 陶波 , 黄芳亮 , 刘学维

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.020

以Ⅰb型(100)取向高温高压(HPHT)单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置进行金刚石同质外延生长.通过光学显微镜表征外延生长金刚石的表面形貌;Raman光谱表征金刚石的结晶质量;螺旋测微仪测厚...

关键词: 单晶金刚石 , 同质外延生长 , MPCVD , 氧碳比