刘高斌
,
王新强
,
冯庆
,
何阿玲
,
马勇
,
赵兴强
,
杨晓红
功能材料
利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.
关键词:
透明导电膜
,
p型
,
CuAlO2
,
电子束蒸发
朱仁江
,
孔春阳
,
秦国平
,
王楠
,
戴特力
,
方亮
材料导报
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
关键词:
氧化锌薄膜
,
p型
,
离子注入
,
制备
郑展
,
陈凌翔
,
叶志镇
材料科学与工程学报
利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶ Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶ Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究结果表明Na含量低于5％时,ZnO∶ Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长.随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型.并且当Na含量为2％时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1 s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3.结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn.PL测试表明ZnO∶ Na0.02薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射.
关键词:
Na掺杂
,
p型
,
紫外带边发射
,
受主态NaZn
高丽丽
,
刘军胜
,
张淼
,
张跃林
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0499
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO薄膜
,
N掺杂
,
p型
段理
,
于晓晨
,
王卓
,
樊小勇
材料导报
近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性.这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路.综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向.
关键词:
银掺杂ZnO薄膜
,
p型
,
光电特性
