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退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 , 秦志新

材料研究学报

在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜...

关键词: 无机非金属材料 , null , null