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温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

于杰 , 王茺 , 杨洲 , 胡伟达 , 杨宇

人工晶体学报

本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge...

关键词: 温度 , 应变SiGe沟道 , p-MOSFET , 自热效应