欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

检索条件:关键词=p-ZnO  

  • 论文(4)

注入剂量对离子注入法制备Al-N共掺杂P型ZnO的影响

杜记龙 , 江美福 , 张树宇 , 王培君

材料科学与工程学报

采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(P...

关键词: 等离子体浸没离子注入 , 磁控溅射 , 共掺杂 , p-ZnO

Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm...

关键词: p-ZnO , magnetron sputtering , codoping

衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

曾昱嘉 , 叶志镇 , 吕建国 , 李丹颖 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.038

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原...

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺

Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , 磁控溅射 , 共掺