杜记龙
,
江美福
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张树宇
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王培君
材料科学与工程学报
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N+注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响.结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成No并与Al和Zn成键,对于ZnO薄膜实现p型反转是很关键的.实现p型反转的ZnO∶Al∶N薄膜载流子浓度可达2.16×1016cm-3,电阻率为8.90Ω·cm,霍耳迁移率为32.4cm2/V·s.
关键词:
等离子体浸没离子注入
,
磁控溅射
,
共掺杂
,
p-ZnO
卢洋藩
,
叶志镇
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曾昱嘉
,
陈兰兰
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
关键词:
p-ZnO
,
magnetron sputtering
,
codoping
曾昱嘉
,
叶志镇
,
吕建国
,
李丹颖
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.038
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
关键词:
p-ZnO
,
磁控溅射
,
共掺
卢洋藩
,
叶志镇
,
曾昱嘉
,
陈兰兰
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
关键词:
p-ZnO
,
磁控溅射
,
共掺
