顾留洋
,
王树林
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.008
首先通过溶胶-凝胶法在 Si 片基底上制备1层ZnO 纳米薄膜,作为纳米棒的晶种层,然后利用金属浴沉积法在 ZnO 纳米薄膜基础上制备择优取向的ZnO 纳米棒阵列,最后通过水热法二次成核结晶形成纳米片.研究证明,ZnO 纳米棒阵列和纳米片均沿着c 轴取向.在 Cu2＋抑制极性面生长的作用下,形成的ZnO 纳米片结构均匀,分布面积广,单片 ZnO 纳米片的厚度约为8 nm,面积呈平方微米级,较大的有40μm2左右.ZnO 纳米结构的生长取向对其物理化学性能具有重要影响.高度沿c 轴取向的 ZnO 纳米棒有利于紫外光发射和激光器的发展,但极性面的缩小不利于光催化反应.
关键词:
ZnO 纳米棒
,
ZnO 纳米片
,
光致发光
,
光催化
