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CdS化学修饰TiO_2纳米管阵列电极的传质特性分析

张晓敏 , 桑丽霞 , 陈永昌 , 张知宇 , 张琦 , 马重芳

工程热物理学报

通过声电阳极氧化-化学沉积的方法制备CdS修饰的TiO_2纳米管阵列,并对其进行形貌表征及光电性能和传质特性的研究。结果表明;相对于未修饰的TiO_2纳米管列电极,CdS纳米粒子的化学修饰在增强电极对可见光吸收能力的同时,可减小电荷载流子的迁移阻力而有效提高光生电荷的分离和传递速率。在超声场中进行化学沉积,CdS纳米粒子可在TiO_2纳米管壁上均匀沉积,使得传质阻力进一步降低而获得相对最大的光电流和电荷载流子密度(9.29×10~(19)cm~(-3))。

关键词: CdS , TiO_2纳米管阵列 , 光电特性 , 电荷载流子密度

Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响

单麟婷 , 巴德纯 , 曹青 , 侯雪艳 , 李建昌

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00210

采用溶胶凝胶法制备不同Ce含量的Ce-Cu共掺杂SnO2薄膜,通过实验及第一性原理计算研究了掺杂对SnO2微观结构及光电特性的影响.结果表明,掺杂后薄膜物相未发生较大变化,Cu,Ce均以替代Sn位形式掺入,形成Cu2+Sn,Ce3+Sn受主型缺陷.随Ce掺杂浓度增加,薄膜晶粒尺寸和光学带隙均减小,电阻率先减小后增大,Ce掺杂量影响薄膜内陷阱分布从而导致电阻发生改变.PL光谱测试发现,SnO2在390 nm处出现紫外发光峰,主要与O空位有关,Ce3+的5d→4f跃迁在470 nm处产生蓝光发光峰,且随掺杂浓度增加发光峰强度先增大后减小并发生红移.第一性原理计算表明,Cu 3d态在价带顶上方产生受主能级,而Ce掺杂后使导带整体下移,光带隙减小,进而提高导电性.

关键词: Ce-Cu共掺杂SnO2 , 溶胶凝胶法 , 光电特性 , 第一性原理

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