李宇杰
,
谢凯
,
许静
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.05.013
采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板.以锗烷(GeH4)为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge.酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体.通过扫描电镜、X射线衍射仪和傅里叶变换显微红外光谱仪对锗反蛋白石的形貌、成分和光学性能进行了表征.结果表明: Ge在SiO2微球空隙内填充致密均匀,得到的锗为多晶态,锗反蛋白石为三维有序多孔结构.锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反射峰,表现出光子带隙效应.测试的完全光子带隙位于中红外3.4μm处,测试的光学性能与理论计算基本吻合.
关键词:
光电子学
,
锗反蛋白石
,
光子晶体
,
完全光子带隙
,
等离子增强化学气相沉积
,
溶剂蒸发对流自组装
,
中红外
景亚霓
,
钟传杰
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.003
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加.此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8 sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40土0.05)V降低到(0.10士0.01)V.基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化.
关键词:
等离子增强化学气相淀积
,
氮化硅
,
氢气添加
,
光学带隙
,
高频电容-电压特性
杨发展
,
沈丽如
,
高翠
,
刘海峰
,
王世庆
功能材料
采用脉冲辉光放电等离子体气相沉积法在316不锈钢表面沉积膜层较厚的类金刚石膜层。利用拉曼光谱仪（Raman）、X射线光电子能谱仪（XPS）、傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）、光学显微镜、显微硬度计和摩擦磨损实验机分别对膜层组成和微观结构及机械性能进行了表征。研究发现,通过脉冲辉光放电等离子体气相沉积法,在316不锈钢表面制备的类金刚石膜层光滑致密;Raman分析得到的ID/IG和IT/IG比值分别为0.72和0.22;FT-IR分析可知膜层含有较多的CHx组成的sp3键;摩擦磨损试验得到膜层的摩擦系数低至0.100,XPS分析膜层sp3含量高达60.7%和光学显微镜测量膜层的厚度达到7mm。由此可知沉积类金刚石膜层后,可以显著地改善316不锈钢表面的机械性能。
关键词:
316不锈钢
,
类金刚石膜层
,
等离子体气相沉积
,
表面性能
乌仁图雅
,
周炳卿
,
高爱明
,
部芯芯
,
丁德松
人工晶体学报
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和N2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料.利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征.实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多.分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差.
关键词:
富硅-氮化硅薄膜
,
等离子增强化学气相沉积
,
射频功率
,
沉积速率
席彩萍
材料开发与应用
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:氢气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳氢气流量为30 sccm.
关键词:
碳纳米管
,
PECVD
,
氢气流量
