解希玲
,
谭毅
,
李佳艳
,
董伟
,
刘艳娇
,
邹清川
机械工程材料
采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。
关键词:
多孔硅
,
多晶硅
,
化学腐蚀
,
电阻率
,
少子寿命
曹礼强
,
赵北君
,
刘林
人工晶体学报
以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道了改良西门子法获得的优质多晶硅产品质量检测数据；对影响多晶硅产物质量的各种因素,包括原料混合气进料量变化,还原炉内生长温度,生长过程中AEG电气的电压、电流变化,以及中间产品精制三氯氢硅、氢气的质量等进行了分析讨论.研究结果对于稳定生长高质量多晶硅具有重要参考价值.
关键词:
改良西门子法
,
三氯氢硅
,
多晶硅
,
产品质量分析
刘美
,
谭毅
,
许富民
,
李佳艳
,
闻立时
,
张磊
机械工程材料
选用四种溶液与不同含量的氮化硅粉体混合得到不同的悬浊液，在石英坩埚内壁制备了氮化硅涂层，并将其用于冶金法提纯多晶硅；用扫描电镜、电子探针等分析了多晶硅铸锭与坩埚内壁的粘连面积、铸锭表面微裂纹形貌和反应层厚度，得到与最佳多晶硅铸锭脱模相对应的制备涂层的工艺参数，同时分析了熔炼过程中氮化硅涂层与硅熔体间的反应机制。结果表明：将含质量分数为8％聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液和质量分数为60％氮化硅的悬浊液喷涂到坩埚内壁上，并经210℃×15min烧结后的氮化硅涂层不易分解，坩埚内壁保持完整，铸锭的脱模效果最好；随熔炼温度升高氮化硅涂层分解加剧，在涂层与硅铸锭的接触面处形成了由大颗粒氮化硅组成的连续层，减小了坩埚和涂层中杂质向硅铸锭内部扩散的可能性。
关键词:
太阳能电池
,
多晶硅
,
氮化硅涂层
,
坩埚
朱徐立
,
洪永强
人工晶体学报
定向凝固(DS)是冶金法提纯太阳能级多晶硅的重要工艺环节.以保证垂直的晶体生长方向,维持良好的固液相界面形态为目的,设计了一种带有热量补偿结构的多晶硅定向凝固设备,用以替代常规设备的侧壁加热装置,在满足工艺要求的同时达到节能减排、降低成本的目标.进行理论分析和数值模拟来阐述原理与设计结构,对优化凝固工艺、设备结构、控制方法提供了理论依据与技术支持.
关键词:
多晶硅
,
定向凝固
,
固液相界面
,
热量补偿
,
数值模拟
潘红星
,
曾亚龙
,
朱明
,
李光明
材料导报
采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅是目前四氯化硅得到合理利用的有效手段.以此为主线,在已有研究工作和生产经验的基础上,从原理上分析了四氯化硅氢化反应,总结了影响氢化转化率的主要因素,提出了合理化建议,为多晶硅的生产提供了有价值的参考.
关键词:
四氯化硅
,
氢化
,
三氯氢硅
,
多晶硅
