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铌酸钾锂晶体的生长与性能

徐家跃 , 林雅芳 , 范世

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.029

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体，讨论了引起晶体开裂的主要原因，研究了该晶体的光透过性能和介电性能，室温下该晶体的介电常数ε33=127，ε11=376，居里温度为380°C.

关键词: 铌酸钾锂晶体 , 坩埚下降法 , 晶体生长 , 性能