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TC4钛合金电子束毛化的实现方法和试验分析

王西昌 , 郭恩明 , 巩水利 , 李斌

稀有金属材料与工程

提出了一种钛合金电子束毛化技术实现方法.借助于新型电子束扫描控制系统,通过扫描波形的特殊设计,可以实现电子束毛化技术,从而在金属表面产生高约几毫米的毛刺.利用这种实现方法,通过选取不同的扫描波形和扫描频率获得了各种不同的毛刺形貌,并进行了毛刺的组织分析.结果表明:六边汇聚型扫描波形毛化效果最理想,而合适的扫描频率同样也是产生毛化形貌的关键.毛刺的微观组织区域分成了边缘区、中心区、热影响区和母材.

关键词: 电子束毛化 , 扫描波形和频率 , 毛刺 , 六边型汇聚 , 微观组织

退火工艺对硅通孔填充Cu微结构演化与胀出行为的影响*

陈思 , 秦飞 , 安彤 , 王瑞铭 , 赵静毅

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00308

采用不同电流密度和外加剂浓度将Cu电镀填充到硅通孔(TSV)制作晶圆试样, 将试样置于Ar气环境内进行退火处理. 观测了硅通孔填充Cu (TSV-Cu)的胀出量和界面完整性, 分析了电镀参数对填充Cu微结构(晶粒尺寸)以及微结构对填充Cu退火胀出量的影响. 结果表明, 电流密度和外加剂浓度影响TSV-Cu的晶粒尺寸. 电流密度越高, 晶粒尺寸越小; 外加剂浓度越高, 晶粒尺寸越小, 但其影响程度不如电流密度显著. 退火后, Cu的晶粒尺寸变大, TSV-Cu发生胀出, 胀出量与Cu晶粒尺寸具有正相关的关系. 随着TSV-Cu的胀出, Cu-Si界面发生开裂, 裂纹沿界面层中的Cu种子层内部延伸.

关键词: 硅通孔 , 电镀Cu , 退火 , 微结构 , 胀出量

退火工艺对硅通孔填充Cu微结构演化与胀出行为的影响

陈思 , 秦飞 , 安彤 , 王瑞铭 , 赵静毅

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00308

采用不同电流密度和外加剂浓度将Cu电镀填充到硅通孔(TSV)制作晶圆试样,将试样置于Ar气环境内进行退火处理.观测了硅通孔填充Cu (TSV-Cu)的胀出量和界面完整性,分析了电镀参数对填充Cu微结构(晶粒尺寸)以及微结构对填充Cu退火胀出量的影响.结果表明,电流密度和外加剂浓度影响TSV-Cu的晶粒尺寸.电流密度越高,晶粒尺寸越小;外加剂浓度越高,晶粒尺寸越小,但其影响程度不如电流密度显著.退火后,Cu的晶粒尺寸变大,TSV-Cu发生胀出,胀出量与Cu晶粒尺寸具有正相关的关系.随着TSV-Cu的胀出,Cu-Si界面发生开裂,裂纹沿界面层中的Cu种子层内部延伸.

关键词: 硅通孔 , 电镀Cu , 退火 , 微结构 , 胀出量

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