皇思洁
,
蔡从中
,
曾庆文
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.022
根据脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si试样表面沉积制备多层TiN/AlN硬质膜实验数据,应用基于粒子群算法(PSO)寻优的支持向量回归(SVR)方法,建立不同工艺参数下沉积的TiN/AlN多层膜的A1N膜厚及TiN薄膜硬度的SVR预测模型.在相同的训练与测试样本集下,将SVR所得的AlN膜厚预测值与免疫径向基函数(IRBF)神经网络的计算结果进行比较.结果表明,SVR模型训练和预测结果的平均绝对百分误差要比IRBFNN模型的小,其预测精度更高,预测效果更好.应用SVR的TiN薄膜硬度模型对PLD法沉积TiN薄膜的工艺参数进行了优化,分析了多因素对PLD法沉积TiN薄膜硬度的交互作用和影响.该方法可为人们利用PLD法沉积TiN/AlN多层功能薄膜提供科学的理论指导,具有重要的理论意义和实用价值.
关键词:
脉冲激光沉积
,
TiN/AlN硬质多层膜
,
支持向量回归
,
回归分析
,
工艺优化
何邕
,
李效民
,
高相东
,
冷雪
,
王炜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299
采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上, 制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜. 研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响. 结果表明, 通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子, 可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构. 未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2, 通过采用氧等离子体辅助, 其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
PMN-PT thin films
,
microstructure
,
electrical properties
何邕
,
李效民
,
高相东
,
冷雪
,
王炜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299
采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上,制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜.研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明,通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子,可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构.未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2,通过采用氧等离子体辅助,其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
PMN-PT薄膜
,
微观结构
,
电学性能
伍展文
,
李洁
,
阳运国
,
黎松林
,
郑东宁
低温物理学报
利用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了La213Ca1／3MnO3（LCMO）外延薄膜．然后利用微纳米加工技术对LCMO薄膜材料进行了局部改造，制造出宽度仅为83纳米的弱联接结构，并对此进行了一系列的物性改变研究．发现在测量电流不变（1μA）的情况下，R～T曲线在120K附近有一个尖锐的跳变，跳变的温度区间很窄．此外，测量电流和外加磁场的增加，都能对跳变现象产生抑制作用．目前认为这种现象的产生是由于相分离的原因导致的．
关键词:
脉冲激光沉积
,
微纳米加工
,
相分离
