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脉冲激光液相烧蚀贵金属Au/Ag产物的表征及反应机理研究

张建兵 , 方炎

材料导报

采用多波长(1064nm、532nm、248nm)脉冲激光在去离子水中对责金属Au、Ag片表面进行激光烧蚀(PLA).利用TEM、AFM、SEM对烧蚀金属片表层及产物(微/纳米尺度的金属颗粒)进行观察分析,认为在液相水环境中,整个烧蚀过程主要可分为激光诱导相沸腾爆炸和等离子体羽辉混合体膨胀2个过程.在这2个过程中分别产生得到具有微米尺度的球状金属颗粒和纳米尺度的金属颗粒.同时,具有纳米尺度金属Au/Ag颗粒经过强激光光子"二次"修饰改性过程,形成具有形状统一、分散性和稳定性较好的金属纳米胶体体系,这些胶体中金属纳米颗粒作为探针,在表面增强拉曼散射(SERS)光谱学方面有很好的应用价值.

关键词: 脉冲激光 , 液相烧蚀 , Au/Ag纳米颗粒 , 烧蚀机理 , 相爆炸 , 等离子体羽辉

基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究

邓泽超 , 刘海燕 , 张晓龙 , 褚立志 , 丁学成 , 秦爱丽 , 王英龙

人工晶体学报

在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.

关键词: 纳米Si晶薄膜 , 脉冲激光烧蚀 , 空间分布 , 朗缪尔探针

脉冲激光烧蚀制备四方结构的橄榄球状Ge纳米颗粒

陈兴 , 王磊 , 朱世伟 , 杜军

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.016

采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀金刚石结构多晶Ge靶材, 选取合适的靶与衬底间的距离、氩气压力以及沉积时间, 在单晶Si(100)衬底上首次制备了四方结构的Ge纳米颗粒, 扫描电子显微镜表征显示这些Ge纳米颗粒有橄榄球状的外形. 透射电子显微镜和选区电子衍射结果显示, 这些橄榄球状的Ge纳米颗粒是四方结构的单晶. 而这些Ge纳米颗粒的形成是由于脉冲激光击打Ge靶产生的小的团簇在局域高温的作用下生成四方结构的团簇, 而这些四方结构的团簇和Ar气原子发生碰撞并聚集到一起形成橄榄球状Ge纳米颗粒.

关键词: 脉冲激光烧蚀 , 橄榄球状 , Ge纳米颗粒 , 四方结构

激光烧蚀硅靶下荷电粒子和纳米晶粒的电流响应研究

褚立志 , 于燕超 , 邓泽超 , 丁学成 , 赵红东 , 王英龙

人工晶体学报

采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,在5~50 Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正前方、距靶1.5 cm处放置一个中心开孔直径为2 mm的挡板,挡板后面上下对称放置两个极板,然后串联一个标准电阻接地,电阻大小为10 Ω,利用高分辨数字存储示波器记录并测量回路中产生的瞬间电流来研究荷电粒子和纳米晶粒的电流响应.实验结果表明烧蚀产物中的正离子在气压为5 Pa时到达极板上数量最多.纳米Si晶粒带正电并且随着气压的增加纳米Si晶粒下落到极板的数量呈现先增大后减小趋势,在气压为8 Pa时达到最大值,这与扫描电子显微镜的测量结果基本一致.所得结果为进一步研究烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程提供了依据.

关键词: 脉冲激光烧蚀 , 纳米Si晶粒 , 尺寸 , 电流

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