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(1- x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3 xCa0.61La0.26TiO3系陶瓷的微波介电性能研究

赵莉 , 沈春英 , 丘泰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.10387

本实验研究了(1- x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3 x(Ca0.61La 0.26 )TiO3(MZT-CLT)系陶瓷的微观结构和微波介电性能, 通过(Ca0.61La 0.26 )TiO3来协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶 瓷 的谐振频率温度系数. MZT-CLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3, 第二相为Ca0.61La0.26TiO3和(Mg0.7Zn0.3)Ti2O5. 烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著, 当烧结温度为 1275℃ 时, 可以获得良好的致密度, 当烧结温度超过 1300℃ 时, Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降. 随着(Ca0.61La 0.26 )TiO3含量的增大, 材料的介电常数增大, 品质因数减小. 当 x =0.13, 烧结温度为 1275℃ 保温4h, (MZT-CLT)陶瓷具有优良微波介电性能,ε r =26,Q·f =86000 GHz,τ f = -6×10 - 6 /℃.

关键词: (1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3&ndash , dielectric constant , quality factor , temperature stable resonant frequency , null

水雾化Fe_(74)Cr_2Mo_2Sn_2P_(10)C_2Si_4B_4非晶磁粉芯制备及性能研究

李庆达 , 连法增 , 尤俊华 , 张莉莉 , 陆曹卫

功能材料

采用水雾化Fe_(74)Cr_2Mo_2Sn_2P_(10)C_2Si_4B_4非晶磁粉制备出了高频特性较好的磁粉芯.研究了样品的形貌、相组成和磁性能.研究结果表明,非晶磁粉芯压制后的去应力退火处理能够有效的提高磁导率和品质因数,过高的热处理温度会使非晶粉末晶化,析出导电性较差的非铁磁相,恶化磁性能,最佳的退火温度为400℃;绝缘包覆是制备高性能磁粉芯的必备工艺,增加绝缘剂添加量会有效的降低磁粉芯的损耗,提高品质因数,绝缘剂添加量过多会降低磁粉芯的密度和磁导率,导致综合磁性能下降,Fe_(74)Cr_2Mo_2Sn_2P_(10)C_2Si_4B_4非晶磁粉芯最佳的绝缘剂添加量为5.0%.

关键词: 退火 , 损耗 , 磁导率 , 品质因数

粉末冶金法制备Fe-Si-Ni磁粉芯及其磁性能

徐伟 , 吴琛 , 严密 , 郑元红 , 周大海 , 傅国柱

材料科学与工程学报

采用熔炼-铸锭-球磨的方法制备了Fe-Si-Ni粉末,经过预退火热处理、绝缘包覆后将粉末压制成磁粉芯,并对成型后的磁粉芯进行去应力退火处理.对Fe-Si-Ni粉末及磁粉芯的性能系统地进行了检测分析.结果显示:经过预退火处理后的Fe-Si-Ni粉末具有较高的饱和磁化强度(M.).Fe-Si-Ni磁粉芯的有效磁导率(μc)在10~1000kHz的频率范围内变化很小,且随着Ni含量和退火温度的升高而增大.Fe-Si-Ni磁粉芯有着良好的直流叠加特性(dc-bias),当Ni≥5wt.%时,尽管磁导率百分比随着退火温度的升高逐渐减小,然而在外加直流磁场强度为50Oe时,磁粉芯的磁导率百分比均在70%以上.品质因数(Q)随着Ni含量和退火温度的升高逐渐增大,磁芯损耗随着Ni含量和退火温度的升高而减小.当Ni=8wt.%,退火温度为750℃时,磁粉芯在50kHz,50mT下的磁芯损耗有最小值312mW/cm3.

关键词: Fe-Si-Ni磁粉芯 , 有效磁导率 , 直流叠加特性 , 品质因数 , 磁芯损耗

退火温度对(Fe0.5Co0.5)78.4Si9B9Nb2.6Cu1软磁合金高频磁性的影响

傅中泽 , 张群

金属功能材料

研究了不同退火温度对(Fe0.5Co0.5)78.4Si9B9Nb2.6Cu1纳米晶软磁合金结构和高频磁性的影响.结果表明,在初始晶化温度455℃以上退火,在菲晶基体中析出α—FeCo相.随着退火温度的升高,开始出现有序的(Fe,Co)3Si.当退火温度高于620℃时,出现硼化物硬磁相.490℃退火后合金的初始磁导率最高可达23000,晶粒尺度为19.4 nm.在490~610℃退火,随退火温度的提高,合金复数磁导率下降,但截止使用频率提高.实验观察到该合金的磁谱曲线为驰豫型,截止使用频率fr为3.14~5.64 MHz,明显高于Fe基纳米晶软磁合金.

关键词: 纳米晶软磁材料 , 复数磁导率 , 品质因数 , 各向异性场

以四面体非晶碳为布拉格反射栅高声阻抗材料的固贴式薄膜体声波谐振器性能仿真分析

陆晓欣 , 朱嘉琦 , 王赛 , 刘罡 , 刘远鹏 , 袁欣薇 , 霍施宇

功能材料

为了提高固贴式薄膜体声波谐振器(SMR)的电学和声学品质,实现四面体非晶碳(ta-C)在体声波器件领域的新应用,建立了以ta-C为布拉格反射栅高声阻抗材料的SMR模型,利用MathCAD仿真研究布拉格反射栅层数对该SMR的谐振特性的影响以及ta-C中sp3杂化含量和高/低声阻抗层厚度偏差对SMR的品质因子(Q值)的影响。结果表明层数的增加提高了SMR的品质;ta-C薄膜sp3杂化含量越高,达到饱和Q值所需层数越少,当含量为80%时,至少需要6层(3对)布拉格反射层使SMR达到优异Q值;距离压电堆越近的高/低声阻抗层,其厚度偏差对Q值的影响越大,从而实现了高频率(8GHz)低损耗的SMR的设计。

关键词: 固贴式薄膜体声波谐振器 , 四面体非晶碳 , 布拉格反射栅 , 品质因子

Fe-Si-Al磁粉芯性能的影响因素

于海琛 , 张胤

金属功能材料 doi:10.13228/j.boyuan.issn 1005-8192.2015011

主要讨论了Fe-Si-Al磁粉芯粉料粒度、粘结剂用量、成型压力和热处理工艺对铁硅铝磁粉芯品质因数Q、损耗P和有效磁导率μe的影响.

关键词: Fe-Si-Al磁粉芯 , 品质因数 , 损耗 , 有效磁导率

左手材料对介质谐振腔谐振参数的影响?

李培 , 王辅忠 , 张丽珠 , 张光璐 , 张惠春

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.010

“左手材料”是与传统材料性质相悖的另外一种材料。根据“左手材料”的特殊性质,采用理论计算与模拟仿真相结合的方法,对影响谐振腔谐振参数的因素进行分析,得出了填充介质的材料属性与谐振腔品质因数、谐振频率的关系。结果显示,“左手材料”的填充,会影响谐振腔的品质因数,相较于介电常数,材料磁导率的作用效果更明显;“左手材料”可以在不改变谐振腔尺寸的基础上提高谐振频率。这相较于传统理论而言有了进一步的进展,为探索和设计新颖的谐振腔提供了理论依据。

关键词: 谐振腔 , 谐振频率 , 品质因数 , 右手介质 , 左手材料

MnO_2掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

薛刚 , 张高磊

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.01.021

采用传统陶瓷工艺制备了MnO_2掺杂Ni_(0.88)Zn_(0.12)Fe_(1.98)O_4铁氧体材料.实验发现,较高的烧结温度有助于NiZn铁氧体磁导率的提高,但过高和过低烧结温度都不利于材料品质因数的提高,从降低损耗的角度考虑,最佳烧结温度为1220℃.当NiZn铁氧体中Mn0_2掺杂量为1.5%时,铁氧体晶粒生长均匀,平均晶粒尺寸适中,能获得最高的品质因数,过低或过高的掺杂量都不利于损耗的降低.铁氧体饱和磁感应强度随MnO_2掺杂量的增多先上升,后下降,但总体的变化程度都不大.而矫顽力则随掺杂量的增多持续下降.相关的影响机制在文中作了详细的讨论.

关键词: NiZn铁氧体 , MnO2掺杂 , 磁导率 , 品质因数

用于铷原子频标的磁控管腔研究

杨世宇 , 梁耀廷 , 涂建辉 , 崔敬忠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.003

研究了一种应用于铷原子频标的磁控管腔,对用于磁控管腔的主要特征和参数计算进行了研究,主要包括磁控管腔的谐振频率、Q值、微波场模式.研究结果表明磁控管腔的谐振频率可以调谐至6.835 GHz,Q值都能够调至600~1000之间,其微波场谐振模式是典型的TE011模式,频率温度系数较小(32.5~35.0 kHz/℃),所设计的磁控管腔能够满足铷原子钟物理部分的设计要求.

关键词: 光电子学 , 量子频标 , 磁控管腔 , 谐振频率 , Q值

一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性

郝丽丽 , 谢应茂

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.03.014

磁流体的有效介电常数εliq与磁性粒子体积分数P和外加磁场因子αⅡ有关.计算了水基MnFe2O4磁流体的有效折射率随纳米磁性粒子体积分数P和外加磁场强度因子αⅡ的变化关系,发现通过调节αⅡ的大小可实现不同纳米磁性粒子体积分数的磁流体具有相同的有效折射率.应用传输矩阵法,数值模拟了水基MnFe2O4磁流体中P为0.745时结构为(AB)8C(BA)8的一维磁流体掺杂光子晶体的透射谱.结果表明:缺陷模磁流体nc的增大出现红移现象,即缺陷模中心波长随nc的增大而变长,最大改变量为36.6 nm.讨论了缺陷模品质因子Q,发现缺陷模半峰值带宽不变, Q与缺陷模波长随nc的变化具有相同的线性变化特性,即Q随有效折射率的增大而增大.

关键词: 光电子学 , 磁流体光子晶体 , 传输矩阵法 , 缺陷模 , 品质因子

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