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BINDING ENERGY OF SHALLOW DONOR IN In_xGa_(1-x)As/GaAsSTRAINED QUANTUM WELL

J. H. Xing(Department of Physics , Liaoning University , Shenyang 110036 , China)H.L. Huang(Department of Electronic Science and Engineering , Liaoning University , Shenyang 110036 , China)

金属学报(英文版)

The effect of the dielectric mismatch between the well and the barrier materials on the binding energies of shallow donor has been investigated in Inx Ga1-xAs/GaAsstrained quantum well. The binding energies as a function of the well widths and impurity positions in the well and the barriers are obtained by using a variational method. Calculation results show that the effect of the dielectric mismatch is quite sizable and such effect is larger for off-center impurity positions,but the effect of the lattice mismatch is small in general.

关键词: quantum well , null

In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

周远明 , 舒承志 , 梅菲 , 刘凌云 , 徐进霞 , 王远 , 张冉

材料导报

利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.

关键词: 自旋电子学 , 自旋场效应晶体管 , 量子阱 , Rashba自旋-轨道耦合

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/32/4/042001

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/37/1/014007

关键词:

半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质

简荣华 , 赵翠兰

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.017

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质.推导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率及阱宽的变化关系.以RbCl量子阱进行数值计算,结果表明:当阱宽一定时,强耦合磁极化子振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率的增大而增大;当回旋共振频率确定时,磁极化子振动频率和自陷能随阱宽的增加而增大,最后趋向于三维结果,而磁极化子的基态能量则随阱宽的增加而减小,且在阱宽取相对较小值时,表现出奇特的量子尺寸效应.

关键词: 光电子学 , 量子效应 , 线性组合算符 , 磁极化子 , 量子阱

纤锌矿GaN/Al_xGa_（1-x）N量子阱材料中极化子效应

乌仁图雅 , 段旭来 , 赵凤岐 , 苏日古嘎

材料科学与工艺

采用Lee-Low-Pines（LLP）变分法研究纤锌矿量子阱材料中电子-声子相互作用有关问题,给出纤锌矿GaN/AlxGa1-xN和InxGa1-xN/GaN量子阱材料中极化子基态能量和第一激发态到基态的跃迁能量随量子阱宽度和材料组分的变化关系.研究中考虑了纤锌矿量子阱材料中光学声子模各向异性以及声子频率随波矢的变化关系.同时还对运用LLP变分方法计算极化子能量时所采用的几种不同处理方法进行了分析和讨论,并给出相应的数值计算结果.

关键词: 纤锌矿 , 量子阱 , 极化子