王宁娟
,
刘忠立
,
李宁
,
张国强
,
于芳
,
郑中山
,
李国花
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.004
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.
关键词:
SOI
,
MOSFET
,
辐射加固
,
离子注入
