王晓静
,
邵红红
,
王季
机械工程材料
采用射频磁控溅射法在室温、500℃的单晶硅和GCr15钢基体上制备了MoS2/SiC双层薄膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、摩擦磨损试验机以及划痕仪等研究了薄膜的结构、形貌、成分、摩擦学性能以及薄膜与基体的结合力。结果表明：当衬底温度为500℃时制备的MoS2/SiC双层薄膜表面致密平整,两层薄膜之间界面平直,膜厚约为0.8μm;该双层膜的摩擦因数低,耐磨性好;添加中间层可提高薄膜与基体的结合力。
关键词:
射频磁控溅射
,
MoS2/SiC双层薄膜
,
摩擦因数
,
结合力
李兆营
,
公衍生
,
田永尚
,
江峰
,
张志龙
电镀与涂饰
在不同沉积温度(25 ～ 400℃)下,利用射频磁控溅射技术在S i(100)基底上制备了TiN薄膜.采用X射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温度对膜结构和表面形貌的影响,计算了晶面间距和晶格常数,分析了薄膜的应力性质.实验结果表明,不同沉积温度下制备的TiN薄膜主要含有(111)和(220)两种取向,以(220)为择优取向;随着温度的升高,薄膜晶化质量先提高然后趋于稳定.薄膜内应力为压应力,且随温度的升高而有所增大.随沉积温度升高,薄膜晶粒尺寸变小,表面结构更加均匀致密.
关键词:
氮化钛
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
沉积温度
,
微观结构
,
表面形貌
吴法宇
,
李建伟
,
齐羿
,
丁梧桐
,
樊子铭
,
周艳文
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00139
采用粉末靶射频磁控溅射方法制备非晶Al2O3薄膜,分析了溅射工艺参数对Al2O3薄膜微观结构、表面形貌、光学性能的影响规律及机理,并探究其抗菌特性.研究结果表明:增加氧通量、降低溅射功率和缩短溅射时间均会减小非晶Al2O3薄膜颗粒度与粗糙度,同时也降低薄膜的沉积速率;并且,氧通量的增加和溅射时间的缩短均会使非晶Al2O3薄膜禁带宽度变宽(最大值可达4.21 eV)、透光率增大(超过90％);光照条件下非晶Al2O3薄膜24 h抗菌率最高可达98.6％,体现出了较好的光催化抗菌性.
关键词:
非晶Al2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
光学性能
,
抗菌特性
张志伟
,
王瑶
,
邓元
,
谭明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11030
采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜.以Bi2Te3为靶材,在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜,并利用X射线衍射、扫描电镜和X射线能谱等对样品进行了结构和成分分析,同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数.结果表明,基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一,较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高,400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优.然而,所有薄膜均显示不同程度偏离Bi2Te3的化学计量比而缺Te,优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能.
关键词:
碲化铋
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
热电性能
李晓冬
,
朱红兵
,
褚家宝
,
黄士勇
,
孙卓
,
陈奕卫
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011
在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
X射线光电子能谱
高丽丽
,
徐莹
,
张淼
,
张跃林
,
姚斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0350
利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理.研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响.实验结果显示,随着Mg含量的增加,薄膜的带隙变宽;光致发光光谱中近带边发射中心蓝移,近带边紫外发射与可见光区深能级发射强度比值减小,发光质量下降;拉曼光谱仍然保持着ZnO的拉曼振动模式,但随着Mg含量的增加,E2high振动峰逐渐展宽,峰型对称性变差.分析表明,随着Mg的合金化,薄膜中产生了更多的杂质缺陷,结晶质量下降.
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO薄膜
,
Mg含量
,
光学性能
高丽丽
,
刘军胜
,
张淼
,
张跃林
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0499
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO薄膜
,
N掺杂
,
p型
高丽丽
,
李淞菲
,
曹天福
,
张雪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0925
利用磁控溅射技术,以 Mg0.06 Zn0.94 O 为陶瓷靶材,制备了 N 掺杂 p 型 Mg0.13 Zn0.87 O 薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜 p 型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为 n 型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61 cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为 p 型。结果显示,其 p 型导电类型的转变与在空气中吸附 H 2 O 或 H 2等形成浅施主有关。
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO 薄膜
,
p 型
,
稳定性
杨涛
,
周细应
,
答建成
,
朱玉坤
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.02.016
目的 通过磁控溅射镀膜工艺,在玻璃上制备高质量的氮镓共掺杂氧化锌(NGZO)薄膜.方法 采用射频磁控溅射法,同时通入氩气和氮气,在流量比分别为25/10、25/20、25/25、25/30((mL/min)/(mL/min))条件下制备NGZO薄膜.通过XRD和SEM对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外/可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究.结果 与未掺入N的Ga掺杂氧化锌(GZO)薄膜相比,在可见光区,尤其是600~800 nm范围内,NGZO薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.GZO薄膜载流子浓度较高,电阻率较低,而掺入N后薄膜的载流子浓度和迁移率有所下降,电阻率有所增加.结论 在N-Ga共掺杂薄膜中,N的掺杂主要占据O空位,并吸引空位周围的电子,这减小了薄膜晶格畸变,并产生电子空穴,最终使得薄膜中电子载流子浓度降低,空穴载流子浓度增加,电阻率有所增加.随着氮气流量的变化,发现在25 mL/min时,薄膜具有最佳的综合性能.这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中,并有望实现n-p型转化.
关键词:
NGZO薄膜
,
氮气
,
射频磁控溅射
,
光电性能
陈志坚
,
李建新
,
周白杨
,
温翠莲
中国有色金属学报
采用射频磁控溅射Mg-Si二元复合靶制备Mg2Si热电薄膜,研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对其性能的影响,探究较优的Mg2Si薄膜制备工艺.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对薄膜特性进行测试.由薄膜断面的能谱分析可知,Mg、Si元素在薄膜中分布均匀,且薄膜中Mg与Si摩尔比为2∶1,与Mg2Si相的组成摩尔比相符;XRD测试结果表明,溅射功率、真空退火温度及退火时间对薄膜的成膜质量均有影响.霍尔效应测试及Seebeck系数测量结果表明:所制备的Mg2Si薄膜均为n型半导体薄膜,其Seebeck系数的取值范围为-278.648～-483.562 μV/K,薄膜电导率的取值范围为1.240～46.926 S/cm;120 W溅射功率下沉积的Mg2Si薄膜经400℃真空退火保温3h后,获得最大功率因子,其值为0.364 mW/(m·K2).
关键词:
Mg2Si薄膜
,
射频磁控溅射
,
工艺优化
,
热电性能
