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掺Eu的γ-La_2S_3的低温合成机理及其发光特性研究

罗昔贤 , 付姚 , 邢明铭 , 张明

功能材料

采用CS2硫化法制备γ-La2S3时,通过掺入Eu离子,使γ-La2S3的生成温度降低500℃以上,在700℃就能得到稳定的γ-La2S3。掺入的Eu离子,充当γ-La2S3成核的晶种,从而降低γ-La2S3的生成温度。一部分Eu2+通过不等价取代La3+,同时在晶格中形成S空位以保持电中性;另一部分Eu2+则填入γ-La2S3的S4四面体空洞,从而稳定了γ-La2S3的晶体结构,使其能够在1100℃下仍能保持稳定。在硫化反应过程中,Eu的掺杂使相变过程发生变化,La2S3不再经过β→γ相变,而直接由介稳相LaS2转变为γ-La2S3。光谱分析表明,在244nm紫外光激发下,掺Eu的γ-La2S3在280、390以及570nm处有3个发射带,且390nm发射峰非常强,可能源于缺陷发光,而Eu2+的发光很弱或不发光。

关键词: 稀土硫化物 , γ-La2S3 , 低温合成

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