汪竞阳
,
章天金
,
屈少华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.032
利用丝网印刷工艺制备出稀土 Yb3＋/Tm3＋共掺杂的 Ba0．8 Sr0．2 TiO3铁电陶瓷厚膜，利用 XRD、SEM、EDS、Raman和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对厚膜微结构和发光性能的影响.实验发现，在低掺杂量时Yb3＋、Tm3＋离子在BST晶格中首先替代B位离子，高掺杂量时则同时占据 A位和B位离子.掺杂后的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构.在800 nm近红外激光激发下，共掺杂的 BST 厚膜中的 Tm3＋离子通过Yb3＋离子的敏化作用在468与533 nm处实现了间接上转换蓝色与绿色荧光输出，分别对应于Tm3＋离子的1 G4→3 H6跃迁和1 D2→3 F4跃迁.468 nm蓝色荧光强度随着 Yb3＋、Tm3＋离子比的增加先增强后减弱，在 Yb3＋、Tm3＋离子共掺比为2∶1达到最大，并对上转换发光的机理进行了分析.
关键词:
BST 铁电厚膜
,
稀土离子
,
共掺杂
,
上转换发光
孙雷
,
张毅
,
胡兴凯
,
田浩
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0893
荧光粉转化法是目前制备白光 LED 的主流技术.但是商业化的荧光粉由于缺少红色部分或红色不稳定,使得制备出的 LED 灯泡颜色偏冷,因此研制低成本、性能稳定的红色荧光粉具有重要的意义.本项目以化学性质稳定、合成工艺温和的硼酸盐 KZn4(BO3)3为基质,掺杂稀土离子来研究荧光粉的发光性能.通过高温固相法合成了一系列不同掺杂浓度的 KZn4(BO3)3∶Eu3＋,并测试了 XRD 衍射图谱,发射和激发光谱.研究表明 Eu3＋离子倾向于占据 Zn2＋格位.同时,KZn4(BO3)3∶Eu3＋的最佳激发波长(393 nm)位于近紫外波段,适于用近紫外 LED 芯片激发来制备 LED.KZn4(BO3)3∶Eu3＋的最强发射峰位于590 nm,属于5 D0-7 F1跃迁.当发生浓度猝灭时,Eu3＋-Eu3＋离子间的临界距离为3 nm.该荧光粉的色坐标为(0.6297,0.3699),色饱和较高.该物质是一种潜在的可被用于 LED 照明用的红色荧光粉.
关键词:
材料
,
发光二极管(LED)
,
荧光粉
,
稀土离子
,
发光性能
潘跃晓
,
陶丽丽
,
杨成浩
,
张勤远
稀有金属材料与工程
采用柠檬酸与乙二醇溶胶-凝胶法合成了Er3+和Ho3+离子分别掺杂的铝酸钆Gd2(MoO4)3纳米晶.用XRD证实了产物的结构,用扫描电镜与透射电镜研究了产物微观形貌与尺寸.在980nm激光泵浦下,Ho3+掺杂Gd2(MoO4)3纳米晶发出很强的位于660nm的红光,而Er3+掺杂Gd2(MoO4)3纳米晶发出很强的位于540nm左右的红光.共掺Yb3+分别对Ho3+与Er3+起着显著的敏化作用.从发光强度与激光功率变化图中可知,Ho3+与Er3+的发光均属于双子光发光过程.
关键词:
稀土离子
,
发光
,
溶胶-凝胶
