张露石南林宫骏裴志亮高立军孙超
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00714
利用反应磁控溅射法在SiC长纤维表面沉积了(Al+Al2O3)扩散阻挡涂层, 研究了沉积工艺参数对涂层的成分、沉积速率的影响, 以及涂层对SiC纤维的表面残余应力及力学性能的影响. 结果表明, 随着溅射功率的增加, Al2O3涂层的沉积速率先迅速增加后缓慢增加; 随着工作气压的增加, Al2O3涂层的沉积速率先缓慢降低, 在工作气压到达一定值时, 沉积速率快速下降随后缓慢下降. 沉积的(Al+Al2O3)复合涂层保护了SiC纤维的富C层, 起到了保证纤维与Al2O3涂层之间结合力的作用; 激光Raman谱显示改性后纤维的表面残余应力有降低趋势. 室温和高温处理后复合丝的拉伸强度分别是计算值的97.69%和98.77%, 涂层对纤维的力学性能影响很小.
关键词:
SiC纤维
,
reactive magnetron sputtering
,
diffusion barrier layer
,
composite coating
,
residual stress
陈崧哲
,
张彭义
,
祝万鹏
,
庄大明
催化学报
采用中频交流磁控溅射法,以O2/N2混和气为反应气体,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2膜.利用原子力显微镜、紫外-可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态,并通过苯甲酰胺的光催化降解实验对光催化剂活性进行了评价.结果表明,所得掺杂膜仅能够被紫外光所激发,反应气的配比对膜的形貌和TiO2的锐钛矿/金红石相比率均有影响,而氮在膜中以掺杂N3-、表面吸附N2和固溶N2的形式存在.随着N3-掺入量的增加,掺杂膜的光催化活性显著提高,在反应气体组成为N2/(O2+N2)=80%(体积分数)时,掺杂N3-量为0.594%,苯甲酰胺光催化降解效果最好,其活性约为纯TiO2膜的1.5倍.
关键词:
二氧化钛
,
膜
,
氮
,
掺杂
,
光催化
,
反应磁控溅射
,
苯甲酰胺
肖娜
,
杜菲菲
,
邢韵
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2015.03.011
在不同沉积时间和基板温度下,采用反应磁控溅射的方法在Ti6Al4V基板上沉积TiN薄膜,溅射过程中固定溅射总压、溅射功率、氮氩流量比等沉积条件.利用XRD、SEM分别研究了薄膜的微观结构和表面、截面形貌,利用显微硬度仪和划痕仪分别测量了薄膜的硬度和膜基结合力.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜硬度和膜基结合力均有增大趋势;随着基板温度的升高,TiN薄膜择优取向由(lll)转向(200)晶面,表面形貌由三角锥转变为片层状,硬度和膜基结合力均呈现升高趋势.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN薄膜
,
沉积时间
,
基板温度
,
结合力
王蕊
,
喻利花
,
许俊华
机械工程材料
采用多靶反应磁控溅射技术在不同碳靶功率(碳靶功率与碳含量成正比)下制备了WCN纳米复合膜,采用X射线衍射仪、扫描电镜、纳米压痕仪和高温摩擦磨损仪等对薄膜结构和性能进行表征,研究了碳含量对WCN复合膜的影响.结果表明:随碳靶功率即碳含量的增加,薄膜的物相在原单一WN相的基础上,出现了新相WCN,并且晶格常数不断增大,同时薄膜的硬度和弹性模量先升后降,在碳靶功率为120 W时,两者均达到最大值,分别为36.70,409.16 GPa；复合膜的常温摩擦因数和磨损率随碳含量的增加呈现先减小后增大趋势,高温时薄膜的摩擦因数高于常温的；薄膜的主要磨损机理是磨粒磨损.
关键词:
WCN复合膜
,
反应磁控溅射
,
微观结构
,
显微硬度
颜畅
,
刘芳洋
,
赖延清
,
李轶
,
李劼
,
刘业翔
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01287
采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜. 以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征. 结果表明, 薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控; 而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的成分. 随着PCu/PIn的增大, 薄膜物相由富铟相向CuInS2转变. 对于CuInS2薄膜, 提高铜铟原子比[Cu]/[In]可改善薄膜的结晶质量. 但当薄膜富铜时, 过高的[Cu]/[In]又会导致薄膜结晶质量的下降. 当CuInS2薄膜为富铜与略微贫铜时, 其导电类型为P型; 且载流子浓度随[Cu]/[In]增加而增大, 并远高于其它贫铜薄膜. CuInS2薄膜的载流子迁移率明显高于富铟相薄膜; 且随着[Cu]/[In]的提高, CuInS2薄膜的载流子迁移率呈上升趋势, 而电阻率则迅速下降.
关键词:
反应磁控溅射
,
CuInS2
,
solar cell
,
electrical property
,
thin film
杜姗
,
黄美东
,
刘春伟
,
唐晓红
,
吕长东
表面技术
采用射频反应磁控溅射方法制备氧化钒(VOx)薄膜,对样品的沉积速率、物相结构、表面形貌和可见光波段的透过率进行表征,研究了在沉积气压一定的情况下,氧氩流量比对氧化钒薄膜结构和光学性能的影响.结果表明,改变氧氩流量比可明显改变薄膜结构,随着氧气比例的增加,沉积速率下降,薄膜表面出现了颗粒结构,颗粒尺寸具有增大的趋势,光透过率增大.
关键词:
氧化钒薄膜
,
氧气流量
,
氩气流量
,
反应磁控溅射
姜川
,
周灵平
,
彭坤
,
朱家俊
,
李德意
人工晶体学报
采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变.在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化.溅射功率及氢气浓度对AlN薄膜择优取向的影响规律表明,氢气主要是通过降低沉积粒子的能量和在衬底表面产生吸附两种作用方式来影响AlN薄膜的择优取向.
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
择优取向
,
溅射功率
,
氢气浓度
孙扬
,
刘晓芳
,
于荣海
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00346
采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO2薄膜. 沉积衬底为(100)的单晶硅, 基片温度270℃, Ar为溅射气体. 使用XRD, AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响. 实验表明, 氧分压为0.12Pa时, 溅射得到的化学成分为Sn0.975Fe0.025O2-δ的薄膜样品具有明显的室温铁磁性, 平均饱和原子磁矩达到1.8μB/Fe. 通过HRTEM和EDS分析了此样品的显微结构和成分分布, 实验结果表明, 薄膜由粒径3~7nm的纳米晶构成, 为四方金红石SnO2相; Fe元素分布较为均匀, 排除了磁性能是由第二相产生的可能; 同时由于薄膜电阻率接近于绝缘体, 室温磁性能不是由载流子诱导机制形成的, 而与晶格内部大量缺陷的存在密切相关.
关键词:
反应磁控溅射
,
Fe-doped SnO2 film
,
microstructure
,
room temperature ferromagnetism
李学梅
,
尤建飞
,
董松涛
,
汪蕾
,
许俊华
材料热处理学报
采用磁控反应溅射法制备了一系列Al含量不同的Ti-Si-Al-N纳米复合薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及配套能量色散谱仪研究了Al含量对薄膜组织结构、硬度及高温抗氧化性的影响.结果表明:Ti-Si-Al-N薄膜点阵常数随Al含量的增加呈下降趋势;Al含量增加到6.48at%时出现h-AIN相,此时薄膜具有最高的硬度,约33GPa;薄膜的抗氧化温度提高到约900℃,但Al含量较高易导致薄膜晶粒在高温下长大.
关键词:
Ti-Si-Al-N复合膜
,
显微硬度
,
高温抗氧化性
,
磁控反应溅射法
肖娜
,
杜菲菲
,
杨波
材料与冶金学报
采用反应磁控溅射的方法在Ti6Al4V基板上沉积(TiN/Ti)n多层膜,交替沉积Ti层和TiN层,以通入/关闭氮气实现对TiN含量的控制.共溅射10层,每层TiN膜和Ti膜的厚度之和即调制周期不变,二者之间的厚度比即调制比分别为1:9、1:5、1:3和1:2.利用XRD、SEM分别研究了薄膜的微观结构和表面形貌,利用显微硬度仪和划痕仪测量了薄膜的硬度和膜基结合力.研究结果表明:随着调制比的增大,TiN(200)逐渐消失,出现Ti2N等新相;硬度、结合力有明显增大的趋势,与单层膜相比,多层膜的硬度和结合力最多分别增加250 HV和22 N.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN/Ti
,
调制比
,
结合力
