吴永
中国有色金属学报
在已导出西门子法三氯氢硅氢还原生成Si-CVD过程本征动力学模型基础上,结合钟罩还原炉内气相物料的基本流动特征和传递-反应-CVD过程,采用反应工程学经典方法,对关键组分在圆柱状硅芯表面CVD层的浓度分布进行分析,导出浓度分布微分方程(零阶贝塞尔方程)和积分方程(零阶贝塞尔函数),建立了Si的沉积速率模型,即考虑CVD层浓度分布时的平均沉积厚度模型和沉积质量模型,忽略CVD层浓度分布时的平均沉积厚度简化模型和沉积质量简化模型.
关键词:
反应工程
,
多晶硅
,
西门子法
,
三氯氢硅氢还原反应
,
化学气相沉积
,
宏观动力学模型
