谭婷婷
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郭婷婷
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李小晶
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陈曦
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冯丽萍
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刘正堂
稀有金属材料与工程
研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.
关键词:
HfO2薄膜
,
电阻转变机制
,
金属细丝
,
氧空位
闫小兵
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李玉成
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闫铭
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杨涛
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贾信磊
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陈英方
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赵建辉
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李岩
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娄建忠
人工晶体学报
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8 ×104 s,有较好的保持特性.分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开.
关键词:
阻变存储器
,
低限制电流
,
开关机制
,
导电细丝
