张利静
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方华靖
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严清峰
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沈光球
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王晓青
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沈德忠
人工晶体学报
本文以ZnO为种子层采用溶胶-凝胶法制备了Li、Mg掺杂的氧化锌薄膜.利用XRD、SEM、PL等手段对薄膜的结构、表面形貌和发光性能进行了表征,研究了不同掺杂情况、种子层、旋涂次数对Li、Mg掺杂的ZnO薄膜性能的影响.结果表明预铺种子层、旋涂8次、在580℃下退火的条件下制得的薄膜性能最好,通过Li、Mg共掺杂使得ZnO薄膜的光致发光性能增强近5倍,近带边发射峰发生蓝移,禁带宽度变大.
关键词:
氧化锌薄膜
,
溶胶-凝胶法
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种子层
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旋涂
,
光致发光
吴洋
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王咏云
,
万其超
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2004.04.001
集成电路工业目前多使用如氮化钛、氮化钽等氮化物作为防止铜扩散的阻挡层.然而,在氟离子存在的情况下,铜、银和钯等金属离子会与氮化物发生自发性的置换反应,并造成金属的沉积.所沉积出的钯金属尽管被认为是污染物,但其可作为后续电镀铜工艺的晶种层.此外,利用化学镀技术可成功在活化后的二氧化硅上沉积出镍钼磷薄膜,该材料具有作为铜内联阻挡层及晶种层的潜力.通过原子力显微镜(AFM)、电子显微镜(SEM)、Auger电子显微镜(AES)、X光绕射(XRD)、四点探针(4-point probe)及表面轮廓仪(Alpha-step),研究了镍钼磷薄膜的微观结构、沉积速率、组成及电阻率等.另外,通过直接镀铜及二次离子质谱仪的测量,初步确定了镍钼磷可作为阻挡层及晶种层的特性.
关键词:
置换反应
,
阻挡层
,
晶种层
,
铜内联
周雄图
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林锑杭
,
曾祥耀
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张永爱
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郭太良
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.012
采用两步水热法，第1步利用 Au 作为催化剂生长 ZnO 纳米杆；第2步利用醋酸锌分解成 ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO 纳米杆的侧壁生长 ZnO 纳米枝条，在Si片上成功制备了枝干状 ZnO 纳米结构。利用 SEM、XRD 分别表征枝干状 ZnO 纳米结构的形貌和晶体结构，研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO 纳米结构形貌的影响。结果表明， Au作为催化剂生长的 ZnO 纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性，而籽晶层对在侧壁生长 ZnO 纳米枝条至关重要。通过调节反应参数，可控制枝干状ZnO 纳米结构的形貌，当反应液浓度越小，反应时间越长，纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状 ZnO 纳米结构具有很好的生物兼容性，可作为细胞支架材料。
关键词:
水热生长
,
枝干状 ZnO 纳米结构
,
籽晶层
,
生物兼容性
方华靖
,
严清峰
,
王晓青
,
沈德忠
人工晶体学报
通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(AZO)薄膜.利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率.研究了种子层对AZO薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响.结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化.薄膜在可见光范围内平均透射率超过85％,导电性能也有所改善.
关键词:
AZO薄膜
,
种子层
,
溶胶凝胶
,
光电性能
彭寿
,
汤永康
,
王芸
,
金良茂
,
甘治平
,
王东
,
王萍萍
,
操芳芳
硅酸盐通报
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝(AZO)薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长.Al掺杂浓度区间为0.25at％～5.00at％.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响.结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85％以上.Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响.无种子层时,掺杂浓度为0.50at％的AZO薄膜在5％ H2、95％N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166 Ω/□,电阻率约为1.99×10-3 Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm.
关键词:
Al掺杂浓度
,
种子层
,
铝掺杂氧化锌薄膜
,
光电性能
