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选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

王正鑫 , 卢文壮 , 黄群超 , 王晗 , 胥军 , 左敦稳

人工晶体学报

在高温下Cl2+ H2体系可促使SiC转化为金刚石.论文从热力学角度分析了Cl2选择性亥蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围.建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制.

关键词: 金刚石 , 碳化硅 , 氯气 , 热力学 , 选择性刻蚀

Ni纳米管阵列的选择性刻蚀法制备及磁性质

王清涛

功能材料

采用基于氧化铝模板的电化学共沉积方法合成了Ni/Cu纳米电缆有序阵列,通过电化学选择刻蚀纳米电缆的铜核,制备了多晶Ni纳米管有序阵列.Ni纳米管有序阵列表现出明显的单轴磁各向异性,易磁化轴沿着纳米管方向.这种具有磁各向异性的有序阵列在高密度垂直磁记录材料中具有潜在的应用前景.

关键词: 纳米管 , 有序阵列 , 选择性刻蚀 , 磁性质

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