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SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响

张艳凤 , 崔洪芝 , 宋晓杰 , 张珊珊 , 魏娜 , 王珂

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001

以Ti、B4C和SiC晶须(SiCw)为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB2-TiC复合材料.讨论了SiCw含量对TiB2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响.结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB2和TiC的含量增加.随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%.当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04 MPa.Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多.并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用.

关键词: TiB2-TiC , SiCw , 多孔复合材料 , 反应合成 , 自蔓延高温合成法

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