Zhiheng LU Department of Physics
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Beijing Normal University
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Beijing
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100875
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ChinaDachan WANG Yan LUO Institute of Low Energy Nuclear Physics
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Beijing Normal University
,
Beijing
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100875
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China
材料科学技术（英文）
It was reported that due to the non-linear electrical phenomena,the super-saturated arsenic in silicon single crystalline precipitates during post processing at low temperatures to form different structures.The structure with spatial period of 1.7 to 2.3 nm was observed firstly by TEM on the sample.
关键词:
nano-structure
,
null
,
null
王领航
,
介万奇
材料科学与工艺
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F(43)m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
孔凡迪
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陈诺夫
,
陶泉丽
,
贺凯
,
王从杰
,
魏立帅
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白一鸣
,
陈吉堃
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016
采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.
关键词:
半导体材料
,
p-n结
,
快速热处理
,
磷扩散
,
扩散系数
