杨靖
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王亚莉
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李保松
,
李悦
材料导报
以甲基三乙氧基硅烷(MTES)替代部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备甲基化改性SiO2膜.用几种已知表面张力的液体测定接触角,分别根据Owens二液法、扩展的Fowkes式以及van OssChaudhury-Good理论等方法求解了不同MTES与TEOS比例SiO2膜的表面自由能及其分量.结果表明,当n (MTES)/n (TEOS)≥0.8时,SiO2膜表面疏水性较好;3种方法计算所得SiO2膜表面自由能的变化规律相同,数值相差不大;随着MTES与TEOS物质的量比的增大,SiO2膜的表面自由能减小,膜表面疏水性的增加主要来自极性分量的贡献.根据van Oss-Chaudhury-Good理论求算出的极性分量比例较其余两种方法稍小.
关键词:
二氧化硅膜
,
改性
,
表面自由能
,
疏水性
卢赛
,
王茺
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王文杰
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杨宇
人工晶体学报
将剂量为2×1016 cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理.从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV.其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关.而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰.在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷.
关键词:
SiC纳米晶
,
SiO2薄膜
,
氧空位
