材料期刊网

In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

周远明 , 舒承志 , 梅菲 , 刘凌云 , 徐进霞 , 王远 , 张冉

材料导报

利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.

关键词: 自旋电子学 , 自旋场效应晶体管 , 量子阱 , Rashba自旋-轨道耦合

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/36/2/022001

关键词:

自旋对非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子基态能量的影响

汪晓武 , 肖娟 , 李建红 , 李志新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.016

采用Tokuda修正的线性组合算符和幺正变换方法,研究了非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质.推导出了磁极化子基态能量随量子点横向、纵向受限长度和磁场的变化关系.进行了数值计算,计算结果表明:考虑自旋影响时,束缚磁极化子基态能量分裂成自旋向上(向下)两个分支.并且磁极化子基态能量、自旋向上(向下)分裂能随量子点横向、纵向受限长度的增加而减少,随磁场强度的增加而增大.

关键词: 光电子学 , 非对称量子点 , 自旋电子学 , 弱耦合 , 束缚磁极化子

各向异性磁电阻材料的研究进展

皇甫加顺 , 盛树 , 李宝河 , 于广华

中国材料进展

各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象，其在诸多相关领域有着广泛的应用前景，因而也是材料科学研究中最具吸引力的方向之一。分别介绍了传统坡莫合金各向异性磁电阻、隧穿各向异性磁电阻、弹道各向异性磁电阻、库仑阻塞各向异性磁电阻、异常各向异性磁电阻以及反铁磁隧穿各向异性磁电阻的研究进展，提出了一些研究中面ll缶的挑战并对发展方向作出展望。

关键词: 各向异性磁电阻 , 自旋轨道耦合 , 自旋电子学

反常霍尔效应及其应用研究进展

于广华 , 彭文林 , 张静言

金属功能材料 doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016024

反常霍尔效应是自旋电子学中一种非常重要的物理现象.最近十年,随着人们对反常霍尔效应的研究的不断深入,基于反常霍尔效应的应用已经延伸到了磁场传感器和磁随机存储器等许多领域,但是有关反常霍尔效应的物理起源自Hall效应发现一百多年以来依然存在着许多未解之谜.主要介绍了反常霍尔效应及相关的基本概念,概述了产生反常霍尔效应的三种机制及最新的理论研究成果,并且总结了目前反常霍尔效应的应用及所面临的各种挑战.

关键词: 反常霍尔效应 , 自旋电子学 , 应用