刘汉法
,
张化福
,
袁玉珍
,
袁长坤
材料导报
采用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出高质量的掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZnO:Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响,结果表明,溅射功率对ZnO:Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响.XRD表明,ZnO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.当溅射功率为130W时,实验制备的ZnO:Ti薄膜的电阻率具有最小值9.67×10~(-5)Ω·cm.实验制备的ZnO:Ti薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91%.ZnO:Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
关键词:
ZnO:Ti
,
透明导电薄膜
,
溅射功率
,
磁控溅射
付永忠
,
程广贵
,
王权
材料科学与工艺
通过磁控溅射方法制备了GeSbTe薄膜.借助原子力显微镜,X射线衍射仪和应力测试仪等仪器,并结合对薄膜表面形貌和晶体结构的分析,研究了溅射功率和退火温度对薄膜内应力的影响.结果表明：当溅射功率较小时,内应力随着溅射功率的增大而增大,在50W左右时达到最大值,随后又随着溅射功率的增大而减小.退火温度为160℃时,薄膜发生非晶态向fcc晶态结构的相变,由于Te原子析出到晶粒边界,导致薄膜的内应力急剧增大到最大值为100MPa左右,而后随着退火温度的升高而下降,fcc结构向hex结构转变时,内应力变化并不明显.
关键词:
金属材料
,
GeSbTe薄膜
,
内应力
,
溅射功率
,
退火温度
,
高密度数据存储
张腾
,
钟志有
,
汪浩
人工晶体学报
以ZnO∶Ga2O3∶TiO2(97wt％∶1.5wt％∶1.5wt％)陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计测试表征,研究了溅射功率对TGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,溅射功率对薄膜性能具有明显的影响.当溅射功率为200 W时,TGZO薄膜的结晶质量最好、电阻率最低、平均可见光透射率最高,品质因数最大(1.22×10-2 Ω-1),其光电综合性能最佳.另外,通过光谱拟合方法研究了溅射功率对TGZO薄膜折射率和消光系数的影响,并利用Tauc关系式计算了样品的光学能隙.
关键词:
氧化锌薄膜
,
溅射功率
,
结晶质量
,
电阻率
,
透过率
张锁良
,
贾长江
,
郝彦磊
,
史守山
,
张二鹏
,
李钗
,
娄建忠
,
刘保亭
,
闫小兵
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90％.
关键词:
In-Ga-Zn-O薄膜
,
溅射功率
,
电阻率
,
禁带宽度
,
透过率
张立东
,
刘春海
,
孙化冬
,
张伟
功能材料
用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率（40～100W）下在Si（100）基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针（FPP）X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。
关键词:
高熵合金
,
晶粒尺寸
,
溅射功率
,
膜厚
曾冬梅
,
慕银银
,
潘松海
,
刘皖
,
陈飞
人工晶体学报
采用磁控溅射法制备CdZnTe先驱薄膜/金属Al膜的层叠结构,利用铝诱导技术制备CdZnTe薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射、Raman光谱仪和半导体特性分析系统,研究了铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能的影响.结果表明:随着铝膜溅射功率的增加,铝诱导CdZnTe薄膜表面的薄膜结晶质量、晶粒尺寸和薄膜电阻率先增大后减小.铝诱导晶化的效果与铝膜溅射功率有关,当铝膜溅射功率达到100 W,CdZnTe薄膜的晶化诱导效果最显著,薄膜结晶质量最好,晶粒尺寸最大.
关键词:
CdZnTe薄膜
,
磁控溅射
,
溅射功率
,
铝诱导结晶
高立华
,
郑玉婴
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.006
采用射频磁控溅射工艺，以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材，衬底温度控制在室温，在玻璃基底上制备了透明导电 ZnO∶Al(ZAO)薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法，系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明，不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大，而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD 表明薄膜为良好的 c 轴择优取向；可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85％以上；在120 W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳.
关键词:
ZAO 薄膜
,
溅射功率
,
方块电阻
,
透过率
姜川
,
周灵平
,
彭坤
,
朱家俊
,
李德意
人工晶体学报
采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变.在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化.溅射功率及氢气浓度对AlN薄膜择优取向的影响规律表明,氢气主要是通过降低沉积粒子的能量和在衬底表面产生吸附两种作用方式来影响AlN薄膜的择优取向.
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
择优取向
,
溅射功率
,
氢气浓度
温迪
,
雷青松
,
乔治
,
高美伶
,
薛俊明
,
张雯
人工晶体学报
采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3％的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04％的HIT太阳能电池.
关键词:
ITO薄膜
,
衬底温度
,
溅射功率
,
HIT太阳能电池
李霞
,
陈凌翔
,
吕建国
,
叶志镇
材料科学与工程学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响.结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5 cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020 cm-3,可见光透过率超过92％.另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理.结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间.
关键词:
ZnO∶Ga
,
磁控溅射
,
电学性能
,
功率
,
退火
