何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
宜楠
,
权振兴
,
赵鸿磊
,
武宇
材料开发与应用
金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能.采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上.靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100 μm,在靶材整个厚度范围内应主要是(111)型织构.同时,为了避免薄膜存在杂质颗粒,要求钽靶材纯度不小于99.99％.本文对钽靶材电子束熔炼、锻造、轧制、热处理等关键工艺进行了系统研究,找到了一种有别于常规钽靶材生产工艺的新方法,所生产产品化学纯度、晶粒尺寸、织构等性能优良,产品成品率高,适于批量化生产.
关键词:
钽
,
溅射靶材
,
晶粒尺寸
,
织构
,
电子束熔炼
,
锻造
,
轧制
,
热处理
张冷
,
张维佳
,
宋登元
,
张辉
,
张雷
,
马强
,
刘嘉
,
吴然嵩
,
马晓波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.003
阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数.最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末压制烧结成四元靶材,经溅射成膜后退火处理,可制备出优异的CIGS薄膜,具有更广阔的应用前景.
关键词:
CIGS
,
真空
,
薄膜
,
溅射靶
王传军
,
闻明
,
张俊敏
,
沈月
,
易伟
,
管伟明
,
谭志龙
贵金属
镍合金和铂合金靶材是电子半导体行业重要的镀膜材料。悁究镍合金和铂合金靶材对于改善薄膜质量和提高器件性能有重要意义。采用2种不同工艺制备了NiPt60%合金溅射靶材。使用金相显微镜(OM)，扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)观察并分析了磁控溅射前后靶材表面的形貌及结构。结果表明，采用热轧-热处理制备的靶材晶粒粗大但均匀，平均晶粒尺寸约为100μm；采用温轧-热处理制备的靶材细小但不均匀，平均晶粒尺寸约为50μm。溅射后的靶材形貌与晶粒尺寸和分布息息相关。
关键词:
金属材料
,
NiPt合金
,
形貌
,
结构
,
靶材
,
晶粒尺寸
程石
,
王伟旬
,
黄伟嘉
,
刘志坚
,
刘孟刚
,
杜莉
冶金分析
提出了一种用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法直接测定Cr20Ni80镍铬合金溅射靶材中主量元素Cr和次量元素Si、Mn、P、Cu、Fe、Ti、Ce的分析方法.在低温加热下用硝酸-盐酸混合酸(V硝酸∶V盐酸∶V水＝65∶200∶735)溶解试样,选择Si 251.612 nm、Mn 257.611 nm、P 178.287 nm、Cr 284.984 nm、Cu 324.754 nm、Fe 259.941 nm、Ti 334.941 nm 和Ce 418.660 nm的光谱线作为分析线,大量基体元素如镍、铬、钇产生的基体效应影响可以通过基体匹配方法消除,谱线的重叠干扰和非光谱干扰不明显.测定主量元素Cr时,由于检测信号的短时漂移和波动对测定有影响,可以通过加入内标元素Y克服.对4种Cr20Ni80镍铬合金溅射靶材试样中上述8种元素进行测定,结果的相对标准偏差均小于2％,对Cr20Ni80镍铬合金标样中Si、Mn、P、Cr、Cu、Fe、Ti进行测定,测定值与认定值相符.
关键词:
电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)
,
Cr20Ni80
,
镍铬合金
,
溅射靶材
,
主量元素
,
次量元素
王一晴
,
郭俊梅
,
管伟明
,
闻明
,
谭志龙
,
张俊敏
,
王传军
贵金属
镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射，镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜，实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析，综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法，提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。
关键词:
金属材料
,
镍铂合金薄膜
,
镍铂硅化物
,
溅射靶材
,
半导体
,
发展趋势
朱勇
,
阳岸恒
,
张济祥
,
谢宏潮
,
卢绍平
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2016.01.002
电子背散射衍射(EBSD)技术是分析高纯金靶材微观组织的有效手段,可以快速高效地定量统计材料的微观组织结构、织构、晶粒尺寸、取向差.运用电子背散射衍射技术,研究通过优化真空熔炼工艺制备的高纯金溅射靶材不同区域的微观组织、晶界取向差和织构.结果表明,高纯金靶材组织由细小的等轴晶组成,平均晶粒尺寸为206 nm,样品在轧制过程中发生再结晶,样品所测得的织构(110)平行于轧面,轧向不确定,为较弱的织构.
关键词:
高纯金
,
溅射靶材
,
电子背散射衍射
,
取向差
,
织构
