田珊珊
,
魏志鹏
,
赵海峰
,
高娴
,
方铉
,
唐吉龙
,
楚学影
,
方芳
,
李金华
材料导报
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2 O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2 O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.
关键词:
InP
,
光致发光
,
硫钝化
,
表面态密度
,
Al2O3薄膜
陈进
,
杨莺
,
邢青青
,
张力
,
晁苗苗
,
穆美珊
人工晶体学报
采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.
关键词:
碳化硅
,
S钝化
,
I-V
,
XPS
李峰
,
杨莺
,
李碧珊
,
陈进
,
邢青青
,
侯志斌
人工晶体学报
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.
关键词:
S钝化
,
肖特基势垒
,
少子寿命
,
稳定性
,
抗氧化性
