彭启才
,
周心明
,
蔡伯埙
材料研究学报
采用等离子体辉光放电单室系统制备的a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的S-W 效应。随着子层厚度L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
关键词:
a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H
,
superlattice
,
amorphous semiconductors electrical properties
,
optical properties
,
null
BI Siyun MA Xiaoding SONG Ruitian MEI Liangmo ZHAO Jiangao GUO Yicheng Shandong University
,
Jinan
,
China
金属学报(英文版)
Metallic Fe/Cu superlattice films on glass substrates were prepared by a dc-magnetion sputtering system.The modulation behaviors and the crystal structures of the films were ex- amined by X-ray diffraction and transmission electron microscopy(TEM)respectively. Their magnetic properties were studied by means of ferromagnetic resonnance spectrometer and the vibrating sample magnetometer.The results show that there exists a strong magnetic coupling between the neighbouring Fe layers and it is the coupling that affectes the magnetic properties of these superlattice films.
关键词:
superlattice
,
null
,
null
,
null
郭杰
,
郝瑞亭
,
赵前润
,
满石清
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027
采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb;Cl2比例在20%~40%时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。
关键词:
InAs/GaSb
,
超晶格
,
ICP 刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
邱永鑫
,
李美成
,
熊敏
,
张宝顺
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
关键词:
分子束外延
,
异质结
,
超品格
,
Sb/As交换反应
张兴旺
,
陈光华
材料研究学报
在双靶射频溅射系统中,以氢气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2,制备出了非晶态Ge/SiO2超晶格.小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性.其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定.当锗势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带欧发生约0.3eV的游移.
关键词:
超晶格
,
α-Ge/SiO_2
,
RF sputtering
冯媛
,
梁新刚
,
鞠生宏
工程热物理学报
超晶格半导体材料广泛用于热电、光电、微电子器件,研究它的热导率和传热性能很有必要.本文采用热阻串联模型计算Si/Ge超晶格热导率,在模型中考虑界面影响以及声子透射率随波长的变化.在固定周期厚度时,Si和Ge厚度比例变化不影响超晶格热导率.随着温度升高,热导率趋于定值,界面散射对于声子传输的作用减小,而U过程的作用增加.
关键词:
超晶格
,
热导率
,
Debye-Callaway模型