材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

下贝氏体碳化物源的高温电镜观察

康沫狂 , 孙加林

金属学报

在JEM-1000超高压透射电镜高温台中对40CrMnSiMoV钢310℃等温所得下贝氏体进行定点动态观察的结果表明,原先无碳化物的贝氏体铁素体内,在高于等温转变温度经一定时间回火后,析出了典型下贝氏体碳化物。这说明下贝氏体铁素体是过饱和碳的。奥氏体中也可析出碳化物,但不具备下贝氏体碳化物的典型特征。

关键词: 碳化物 , supersaturation , lower bainitic carbide

过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究

朱胜军 , 王圣来 , 丁建旭 , 刘光霞 , 王端良 , 刘琳 , 顾庆天 , 许心光

人工晶体学报

在不同过饱和度的溶液中生长了KDP晶体,对生长晶体的透过率,光散射和激光损伤阈值进行了表征.研究了不同过饱和度对KDP晶体生长及光学性能的影响.实验表明:KDP晶体可以在高过饱和度(σ＞3％)溶液中实现快速生长,生长速度可大于10 mm/d;但随着溶液过饱和度的增加,KDP晶体生长溶液的稳定性降低,晶体容易出现包藏、开裂和添晶等缺陷,晶体的光学性能也随之降低.

关键词: KDP晶体 , 过饱和度 , 稳定性 , 透过率 , 缺陷

实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

王圣来 , 付有君 , 孙洵 , 李义平 , 曾红 , 高樟寿

无机材料学报

用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ_２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值．

关键词: 过饱和度 , KDP crystal , automatic control , growth

IN SITU OBSERVATION OF LOWER BAINITIC CARBIDES PRECIPITATION

KANG Mokuang SUN Jialin Northwestern Polytechnical University , Xi'an , China Dept.of Materials Science and Engineering Northwestern Polytechnical University , Xi'an , 710036 , China

金属学报(英文版)

The lower bainitic carbides precipitation in 40CrMnSiMoV steel previously austempered at 310℃ was observed in situ by employing a high temperature stage of an ultra high voltage TEM(JEM-1000).The typical lower bamitic carbides were found to have precipitated from within the carbide-free bainitic ferrite after tempering for certain period at a temperature higher than that of the isothermal transformation.This revealed that the lower bainitic ferrite is supersaturated with carbon to some extent.The carbide may also precipitate from austenite, but they have no typical morphological features of lower bainitic carbide.

关键词: bainite transformation , null , null , null

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词