王庆良孙彦敏张磊
材料研究学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf--PECVD), 在45钢表面沉积了类金刚石(DLC)薄膜, 借助激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM), 分析了DLC膜的键结构、表面形貌和结构特征, 用原位纳米力学测试系统测定了薄膜的硬度。以GCr15钢为摩擦副材料, 用UMT--Ⅱ摩擦磨损实验机考察了不同载荷和滑行速度条件下DLC膜的摩擦磨损性能, 并分析了磨损机理。结果表明, 在45钢表面沉积的薄膜具有典型的类金刚石薄膜的结构特征, 薄膜表面由致密的纳米级颗粒组成, 具有较高的硬度。在各种摩擦磨损实验条件下DLC薄膜表现出良好的抗磨损性能, 摩擦系数均明显比45钢的低, 尤其在高速低载下摩擦系数低至0.008。
关键词:
材料表面与界面
,
PECVD
,
diamond–like carbon films
,
XPS
,
friction and wear
黄平杨春介伟伟
材料研究学报
构建了SrTiO3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10o、20o、30o、40o和50o具有不同界面结构的生长模型, 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算。结果表明, 在晶格失配小的理想外延方向即[1--10]SrTiO3//[10--10]GaN的能量最高, 结构不稳定; 而随着STO[1--10]沿GaN[10--10]方向角度的偏转, 能量迅速降低, 偏转角度为30o时能量最低, 即外延关系为[1--10]SrTiO3 //[11--20]GaN时最稳定, 与实验结果一致。能量计算结果表明, STO/GaN磁电薄膜有利于形成STO--Ti--GaN的界面结构。
关键词:
材料表面与界面
,
rotation models
,
DFT
,
STO/GaN magnetoelectric films
吕会敏张钧
材料研究学报
采用多弧离子镀技术和Ti--Al合金靶及Zr单质靶的组合, 在高速钢基体上制备了(Ti,Al,Zr)N多元N梯度硬质反应膜。分别用扫描电镜、X射线衍射仪观察测定(Ti, Al, Zr)N梯度膜膜层的表面、断面形貌、成分以及相结构, 研究了(Ti, Al, Zr)N多元氮梯度硬质反应膜的组织结构和性能。结果表明, 与TiN、(Ti, Al)N、(Ti,Zr)N及(Ti, Al, Zr)N等单层硬质膜相比, 采用Ti--Al合金靶及单质Zr靶组合方式制备的(Ti, Al, Zr)N多元氮梯度硬质反应膜具有较高的硬度和膜/基附着力, 硬度最高可达HV6000, 膜/基附着力大于180 N。同时, 膜层还具有良好的抗热震性能。
关键词:
材料表面与界面
,
(Ti, Al, Zr)N films
,
multi–arc ion plating
,
micro–hardness
,
thermal shock